Сопротивление - канал - транзистор
Cтраница 2
Из рассмотрения статических состояний известно, что сопротивление канала проводящего транзистора Та должно быть много ( раз в 20 - 30) меньше, чем сопротивление канала транзистора Тя. Поэтому можно считать, что течение процесса определяется главным образом транзистором Та и принять схему замещения инвертора в виде, показанном на рис. 9.7, а. [16]
Пр имечание, l cH мвкс - максимальное напряжение сток-исток; Vjpj ыакс - максимальное напряжение затвор-исток; 1С - максимальный ток стока; RCHOTK - сопротивление канала транзистора в открытом состоянии; S - коэффициент передачи ( крутизна) транзистора; / pac - максимальная рассеиваемая мощность; СЗИ - емкость затвор-исток; Ссу - емкость сток-исток; Сзс - емкость затвор-сток; ( вкл - время включения; ыкл - время выключения. [17]
В схеме выходной синусоидальный сигнал детектируется пиковым детектором, и результирующее напряжение в виде постоянного потенциала, зависящего от амплитуды напряжения на выходе, подается на затвор транзистора. Величина этого управляющего напряжения подбирается потенциометром сопротивлением 5 кОмтак, чтобы при изменении сопротивления канала транзистора автоматически выполнялось условие генерации и повыша-лас ( ь стабильность работы схемы при любых изменениях амплитуды выходного напряжения. [18]
В детекторе желательно применить полевой транзистор с напряжением отсечки, близким нулю. В противном случае на затвор надо подать постоянное смещение и подобрать его так, чтобы сопротивление канала транзистора в отсутствие входного сигнала составляло не менее нескольких килоомов. Практически смещение подбирается при работе детектора по максимуму его коэффициента передачи. [19]
 |
Выходная ( а и передаточная ( б характеристики и-канального транзистора с управляющим р-я-переходом. [20] |
На рис. 3.11, а, б приведены типовые выходная и передаточная характеристики - канального транзистора. В крутой области ток стока / с возрастает линейно с увеличением напряжения сток-исток си при постоянном напряжении на затворе относительно истока, что свидетельствует о постоянстве сопротивления канала транзистора в этом режиме. В пологой области характеристик ток стока ic почти не зависит от напряжения мси, а зависит лишь от напряжения затвор - исток изи. [21]
 |
Схема замещения полевого транзистора. [22] |
Кристалл полупроводника обладает объемными сопротивлениями: гс - между концами канала и контактами стока, г - между концами канала и контактами истока. Схема замещения для полевого транзистора представлена на рис. 7.12. В нее входят следующие параметры: Сзи, Сао - входная и проходная емкости; гзи, г30 - входное и проходное сопротивление; rt - внутреннее ( дифференциальное) сопротивление канала транзистора; ги - сопротивление внутренней обратной связи; г0 - сопротивление стока; f / зи - входное напряжение. [23]
 |
Логические элементы на МДП транзисторах.| КМДП инвертор. [24] |
Предположим, что в исходном состоянии напряжение на затворах транзисторов равно нулю. С увеличением напряжения на затворе сопротивление канала транзистора Tz увеличивается и он закрывается. [25]
Страницы: 1 2