Cтраница 2
В первом случае исток и затвор располагаются на верхней стороне кристалла, а сток - на нижней. Для горизонтальной ячейки характерен планарныи вариант расположения всех основных выводов - сверху кремниевой пластины. В настоящее время все высоковольтные ОМДП-транзисторы изготавливаются только с вертикальной структурой. Для вертикального варианта обратная сторона подложки служит контактом к области стока. На подложке выращивается высокоомный эпитаксиальныйлГ - слой, после чего с помощью операций окисления, маскирования и травления переходят к диффузионным процессам по созданию р-области канала и высоколегированного л - истока. В горизонтальной структуре проводится также диффузия области л - стока. Затем следует заключительная операция металлизации соответствующих выводов. При сравнительно одинаковой технологии изготовления ЭМДП - и УМДП-транзисторов вертикального типа первые, как правило, имеют более высокое пробивное напряжение, а вторые более низкое сопротивление канала в открытом состоянии. Это связано с тем, что инверсионный слой в р-области ОМДП-транзистора расположен в горизонтальной плоскости, тогда как у V-образного транзистора - под некоторым углом, что уменьшает толщину эпитаксиального слоя, определяющего параметры пробивного напряжения и сопротивления открытого ключа. [16]