Сопротивление - полупроводниковый материал
Cтраница 1
 |
Вольт-амперная характеристика тензорезистора. [1] |
Сопротивление полупроводниковых материалов изменяется при механической деформации. Это явление получило название т е н з о-эффект и положено в основу работы полупроводниковых тензоре-зисторов, тензотранзисторов, тензотиристоров. [2]
 |
Требуемые ( кривые / и 3 и реализуемые ( кривые 1 и 4 температур - - иые зависимости сопротивления Rt при постоянной температурной чувствительности В4800, Г1293 К и Г 353 К. [3] |
Сопротивление полупроводниковых материалов, как известно, падает с увеличением температуры. [4]
Температурная зависимость сопротивления полупроводниковых материалов значительно выше, чем аналогичная зависимость у металлов. [5]
В отличие от металлических проводников сопротивление полупроводниковых материалов уменьшается с повышением температуры. [6]
 |
Однопереходный триод. [7] |
Во-вторых, выходное сопротивление должно быть малым, так как оно создается сопротивлением полупроводникового материала канала, которое зависит от управляющего напряжения. В-третьих, поскольку главная компонента тока в выходной цепи задается током основных носителей, то предельная частота определяется не временем жизни неосновных носителей, а только временем прохождения через канал. Поэтому основная предельная частота может быть высокой. [8]
 |
Устройство ( а и схема включения фоторезистора ( б. [9] |
Фоторезисторы - приборы, принцип действия которых основан на фоторезистивном эффекте - изменении сопротивления полупроводникового материала под действием электромагнитного излучения. [10]
Среди них наибольшее распространение получили полупроводниковые резисторы, принцип действия которых основан на изменении сопротивления полупроводниковых материалов под воздействием температуры, электрического напряжения и электромагнитного излучения. [11]
Если электроды прикреплены к образцу достаточно плотно ( например, электроды из фольги, прикрепленные к поверхности полимера аквадагом - суспензией коллоидного графита) и контактными сопротивлениями можно пренебречь, то для измерений сопротивлений полупроводниковых материалов пригодны лабораторные мосты переменного и постоянного тока различного класса точности [ ИЗ, с. [12]
Для определения токов через электронно-дырочный переход следует решить уравнения непрерывности совместно с уравнениями для плотности токов. Это предположение вполне оправдано, так как из-за наличия запирающего слоя сопротивление электронно-дырочного перехода значительно больше, чем сопротивление однородного полупроводникового материала, так что большая часть приложенного напряжения падает на переходе. [13]
Существенными недостатками проволочных термометров сопротивления являются низкий температурный коэффициент сопротивления и малое удельное сопротивление металлических проводников. При передаче информации через контактные токосъемники, обладающие значительными переходными сопротивлениями, эти факторы снижают достоверность получаемой информации. Этот недостаток существенно уменьшается, а иногда и практически исключается при использовании в термометрах сопротивления полупроводниковых материалов, которые имеют большое удельное сопротивление и высокий температурный коэффициент сопротивления. [14]
 |
Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [15] |
Страницы: 1 2