Сопротивление - коллекторная нагрузка
Cтраница 3
Для уменьшения шунтирующего действия фазовращающей цепочки на нагрузочное сопротивление усилительного каскада необходимо сопротивление Кг выбирать значительно большим ( в 5 - 10 раз), чем сопротивление анодной нагрузки лампы или сопротивление коллекторной нагрузки транзистора. [31]
Принцип действия триггера рассмотрим на его простейшей схеме ( без смещения), приведенной на рис. 129, а, где Ек - - напряжение источника питания; RK, Rv2 - сопротивления коллекторных нагрузок триодов Т и Т2; JRci, RC2 - сопротивления коллекторно-базо - Бых связей; Суь Су2 - конденсаторы, включенные для ускорения процесса переключения. Триггер состоит из двух усилительных каскадов ( инверторов), собранных по схеме с общим эмиттером, у которых коллектор ( А или Б) триода одного усилителя, являющийся его выходом, соединен через резистор с базой ( Г или В) триода другого усилителя, являющийся его входом. Выходы А и Б усилителей одновременно являются выходами 0 и 1 триггера. Входные зажимы 0 и 1 триггера связаны непосредственно с базами Г и В. Триггер с одинаковыми параметрами каскадов называют симметричным. Рассмотрим процесс образования устойчивого со-стояния триггера. [32]
Здесь достаточно одного каскада усиления по постоянному току. Сопротивление коллекторных нагрузок в этой интегральной микросхеме равно 680 Ом. [33]
Расчет автогенератора ведется так же, как и усилителя с нагрузкой в виде резонансного контура. В схемах на транзисторах сопротивление коллекторной нагрузки мало, выполнить же добротный контур с низким резонансным сопротивлением затруднительно. Поэтому в транзисторных и некоторых ламповых схемах применяют неполное включение контура в коллекторную ( анодную) цень. [34]
Целесообразен выбор именно такого режима, так как он обеспечивает стабилизацию перепадов потенциалов триггера, не вызывая сильного снижения чувствительности схемы и ухудшения ее быстродействия. Полученные при вычислении величины сопротивлений коллекторной нагрузки и делителей связи являются предельными, еще обеспечивающими устойчивость работы триггера при повышенных температурах. Хотя эти сопротивления обеспечивают минимальный расход мощности, в ряде случаев их приходится существенно снижать для достижения лучшего быстродействия. При этом автоматически улучшается температурная устойчивость схемы. [35]
Исследование схемы показывает, что ее конструкция не является оптимальной с точки зрения стабильности частоты. Преобразованное входное полное сопротивление транзистора плюс сопротивление коллекторной нагрузки снижает рабочую добротность кристалла Q на величину, несколько меньшую половины ее максимального значения. [36]
Значение емкости С0 в современных транзисторных каскадах равно нескольким тысячам пикофарад. Для уменьшения частотных искажений в области верхних частот необходимо уменьшить сопротивление коллекторной нагрузки и использовать в каскадах транзисторы о достаточно большим значением предельной частоты. [37]
Эффективным методом анализа переходных процессов изменения коллекторного тока в импульсных схемах является метод заряда. Будем считать, что транзистор л - - п-типа включен по схеме с общим эмиттером, сопротивление коллекторной нагрузки близко к нулю, базовая цепь питается от генератора тока, который может обеспечивать изменения отпирающего базового тока с пренебрежимо малой длительностью фронта. Для такого транзистора электроны в базе являются неосновными носителями. Заряд электронов в базе Q соответствует заряду неосновных носителей. Изменение этого заряда dQ / dt может вызываться двумя причинами: 1) изменением базового тока / б ( 0; 2) рекомбинацией носителей в базе. Последняя составляющая заряда равна - Q / в, где в - время жизни носителей в базе. [38]
Эффективным методом анализа переходных процессов изменения коллекторного тока в импульсных схемах является метод заряда. Будем считать, что транзистор n - p - n - типа включен по схеме с общим эмиттером; сопротивление коллекторной нагрузки близко к нулю; базовая цепь питается от генератора тока, который может обеспечивать изменения отпирающего базового тока с пренебрежимо малой длительностью фронта. Для такого транзистора электроны в базе являются неосновными носителями. Заряд электронов в базе Q соответствует заряду неосновных носителей. Изменение этого заряда dQ / dt может вызываться двумя причинами: 1) изменением базового тока i6 ( t); 2) рекомбинацией носителей в базе. Последняя составляющая заряда равна - Q / Q, где 0 - время жизни носителей в базе. [39]
Принцип их работы рассмотрим на примере однокаскадного транзисторного усилителя, схема которого приведена на рис. 53, а. Схема каскада состоит из транзистора Т, входного и выходного конденсаторов С1 и С2, резисторов Rl, R2, R3, обеспечивающих температурную стабилизацию положения рабочей точки транзистора, сопротивления коллекторной нагрузки RK и конденсатора СЗ, закорачивающего переменную составляющую тока в эмиттерной цепи. Входной управляющий сигнал подается через конденсатор С1 в базовую цепь усилительного каскада. [40]
Коэффициент усиления по току, коэффициент усиления по напряжению и входное сопротивление каждого каскада в области низких частот определяются параметрами транзистора, сопротивлением низкочастотной обратной связи, включенным между коллектором и базой, и эффек-тивным сопротивлением коллекторной нагрузки. Основной задачей при расчете низкочастотных схем является выбор сопротивлений обратной связи, которые должны обеспечить получение заданных значений общих коэффициентов усиления Кг и Ки, заданное разделение коэффициента усиления Кг между каскадами и требуемое входное сопротивление. Обычно необходим компромисс между коэффициентами усиления Кг, Ки и рабочим диапазоном частот. [41]
Входной сигнал может изменяться в пределах: LJH z 100 в. Требуется рассчитать усилитель-ограничитель так, чтобы при входном напряжении ивх - 0 выходное напряжение по абсолютному значению не. Сопротивление коллекторной нагрузки по условиям работы последующей части схемы должно быть равным 2 ком. [42]
 |
Каскад с трансформаторной связью. [43] |
На рис. 16 дана схема с резисторно-емкостной связью. На сопротивлении коллекторной нагрузки RK первого транзистора ( рис. 16) выделяется усиленное напряжение сигнала, которое через разделительный конденсатор Ср подается на базу второго транзистора для дальнейшего усиления. Разделительный конденсатор Ср не пропускает постоянной составляющей коллекторного тока первого транзистора к базе второго транзистора. Сопротивление утечки R6 служит для подачи на базу второго транзистора напряжения смещения. [44]
Транзисторы Т и Г2 образуют дифференциальную пару с источником тока в эмиттерной цепи. Транзисторы Тя и Т4, образуюшие токовое зеркало, выступают в качестве коллекторной нагрузки. Тем самым обеспечивается высокое значение сопротивления коллекторной нагрузки, благодаря этому коэффициент усиления по напряжению достигает 5000 и выше при условии, что нагрузка на выходе усилителя отсутствует. Запомните, что нагрузка для такого усилителя обязательно должна иметь большой импеданс, иначе усиление будет существенно ослаблено. [45]
Страницы: 1 2 3 4