Сопротивление - промежуток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Есть что вспомнить, да нечего детям рассказать... Законы Мерфи (еще...)

Сопротивление - промежуток

Cтраница 5


61 Параллельный диодный ограничитель с источником смещения уровня. [61]

Это сопротивление и промежуток сетка - катод триода образуют параллельный диодный ограничитель. При большей величине мвх возникает сеточный ток - сопротивление промежутка сетка - катод снижается до незначительной величины ( порядка 1 000 ом) и основная часть входного напряжения выделяет на Ror. Поэтому напряжение между сеткой и катодом не может стать больше, чем Uc. Это ограниченное сверху напряжение усиливается лампой.  [62]

Следует отметить, что в зависимости от ширины разрыва слоя платины, нанесенной на стекло, изменяется чувствительность прибора. Оказалось, что при расстоянии между электродами 10 мк ( сопротивление промежутка 1 - 1.5 Мом) прибор фиксирует выпадение росы на несколько секунд - раньше, чем ее удается заметить в микроскоп ( X119), Было установлено, что чувствительность гигрометра в основном определяется временем срабатывания усилителя в реле, поэтому применение пленок с очень малым зазором в данной конструкции нецелесообразно.  [63]

Магнитное сопротивление промежутка между стальными элементами следует определять с учетом распределения переменной составляющей магнитного потенциала по поверхности стали и свойств среды, заполняющей этот промежуток. Если среда токопроводящая, то в ней возникают вихревые токи, повышающие сопротивления промежутка. Ниже рассматриваются некоторые виды магнитных сопротивлений.  [64]

В схеме с общим эмиттером внешние дестабилизирующие факторы в области отсечки и на ее границе оказывают наибольшее влияние на токи, напряжения на р - - лереходах и коэффициент усиления транзистора, вызывая изменения его порога отпирания, предельного уровня экспоненты и, следовательно, нестабильность паузы. На нестабильность длительности импульса влияют параметры транзистора в области насыщения: остаточное напряжение, сопротивление промежутка коллектор-эмиттер и коэффициент усиления.  [65]

Изменение параметров ламп и транзисторов после их предварительного прогрева незначительно. Прогрев электронных ламп сопровождается существенным изменением междуэлектродных емкостей, а прогрев транзисторов - изменением сопротивления промежутка база - эмиттер, что приводит к так называемому выбегу частоты. В дальнейшем изменение частоты в транзисторных генераторах пренебрежимо мало, а в ламповых частота медленно понижается.  [66]



Страницы:      1    2    3    4    5