Сопротивление - р-п-переход
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схема фотоэлемента.| Световые характеристики фотоэлемента. [1] |
Сопротивление р-п-перехода - величина, зависящая от освещенности. При этих условиях постоянная А является интегральной чувствительностью К фотоэлемента. [2]
 |
Подключение источников напряжения к полупроводниковому диоду. [3] |
В этом случае сопротивление р-п-перехода велико, ток через нега мал - он обусловлен движением неосновных носителей заряда. Такое направление тока называется обратным. [4]
 |
Схема инжекции электронов в р-область на модели ( а и на энергетической диаграмме ( б. [5] |
Таким образом, принцип усиления, основанный на снижении сопротивления обратносмещенного р-п-перехода, может быть реализован в результате различных возможных сочетаний инжектирующего источника, процесса токопро-хождения и схемы инжекции. Наиболее эффективным такое сочетание оказалось в биполярном транзисторе, у которого инжекция реализована по схеме рис. 3.18, д из плоского p - n - перехода при диффузионно-дрейфовом токопрохожде-нии. [6]
 |
Схема включения кристалличе - техники - ПОЛуПровоДНИ-ского усилителя ( триода с точечными КОВОЙ электронике, контактами. и. [7] |
Переменная составляющая напряжения при этом модулирует ток эмиссии неосновных носителей, которые, достигая коллектора, соответственно изменяют здесь сопротивление р-п-перехода. Таким образом, в цепи коллектора возникает усиленный сигнал той же частоты. [8]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [9] |
При наличии напряжения на коллекторе и токе базы, равном нулю, на выводе базы существует напряжение, которое объясняется падением напряжения на сопротивлении р-п-перехода эмиттера. [10]
 |
Схемы включения транзисторов.| Пример включения транзистора в схему с общей базой. [11] |
В цепи коллектора, наоборот, внешний источник постоянного тока Ек б включается в запорном направлении, и этим контактная разность потенциалов увеличивается; сопротивление р-п-перехода возрастает. [12]
Если к полупроводниковому вентилю приложить внешнее электрическое поле, направленное от слояр к слою п, как это показано стрелкой на рис. 18 - 55 е, то под действием этого поля диффузия основных носителей зарядов - дырок из слоя р и электронов из слоя п - сильно возрастет, сопротивление р-п-перехода резко снизится и через, переход пойдет значительный прямой ток. [13]
 |
Расчетные формулы сопротивления базовой области транзистора. [14] |
Коллекторный и эмиттерный р-п-переходы транзистора обладают емкостными свойствами. Эквивалентная емкость р-п-пере-хода включает в себя барьерную и диффузионную составляющие и подключена параллельно сопротивлению р-п-перехода. Диффузионная емкость преобладает при прямом смещении, а барьерная - при обратном. [15]
Страницы: 1 2