Сопротивление - резистор
Cтраница 2
Сопротивление резистора R6 ( показано пунктиром), включенного в эквивалентной схеме параллельно сопротивлению / ги, как правило, значительно больше последнего. [16]
Сопротивление резисторов выбирают исходя из требований техники безопасности. [17]
Сопротивление резистора при температуре Т - 323 К составляет 270 Ом, а при температуре Тг - 353 К-275 Ом. [18]
Сопротивление резистора при температуре Г [ 323 К составляет 270 Ом, а при температуре Г2 353 К-275 Ом. [19]
Сопротивления резисторов обычно не превышают нескольких килоом. В качестве более высокоомных резисторов иногда используют входные сопротивления эмиттерных повторителей, которые могут достигать десятков и даже сотен килоом. Температурная стабильность таких резисторов удовлетворительна во всем рабочем диапазоне. Отклонение сопротивления резистора от номинального составляет 20 % и более. [20]
Сопротивление резистора R6 обычно велико по сравнению с сопротивлением остальной части схемы правее точки а при открытом транзисторе. [21]
Сопротивление резистора выбирается из условия, чтобы коллекторный ток, при насыщенном сердечнике трансформатора, не превышал допустимую величину / Кдоц. [22]
Сопротивления резисторов fii Rz должны быть разделены таким образом, чтобы ори токе р / макс напряжение между точкой их со. [23]
Сопротивление резистора К, подбирают таким образом, чтобы удерживать диод в области пробоя. Заметим, что в этой схеме диод включается не так, как это обычно делается в выпрямительных схемах: его присоединяют таким образом, чтобы на него подавалось напряжение обратной полярности. Следовательно, когда диод находится в области пробоя, падение напряжения на нем будет оставаться почти постоянным при небольших изменениях тока, благодаря чему на зажимах Т2 и Г3 обеспечивается стабилизированное выходное напряжение. [24]
Сопротивление резистора согласно (12.3) обратно пропорционально подвижности дырок. Следовательно, диффузионные резисторы имеют положительный температурный коэффициент, зависящий от концентрации примеси. [25]
Сопротивление резисторов подбирают так, чтобы мост находился в уравновешенном состоянии. При воздействии магнитного поля на магнитодиоды сопротивления их увеличиваются и на входе микросхемы появляется напряжение разбаланса моста, под воздейстием которого микросхема переключается. [26]
Сопротивление резистора R20 в цепи эмиттера выбрано небольшим - 8 Ом, поскольку сигнал обратной связи достаточно велик. [27]
Сопротивление резистора пропорционально удельному объемному сопротивлению, которое определяется уровнем легирования полупроводникового материала и температурой. Поэтому можно было бы заключить, что при заданной геометрической конфигурации резистивный элемент наиболее целесообразно формировать на чистом или слаболегированном полупроводниковом материале. Однако удельное сопротивление такого материала сильно зависит от температуры, что полностью исключает возможность его практического использования. Для уменьшения температурной зависимости сопротивления резистора необходимо применять высоколегированный полупроводниковый материал. [29]
Сопротивление резистора R2 выбирается обычно в несколько раз меньше входного сопротивления последующего каскада. [30]
Страницы: 1 2 3 4