Сопротивление - селен
Cтраница 1
 |
Зависимость сопротивления гексагонального селена от температуры. [1] |
Сопротивление селена уменьшается при увеличении давления на сотни атмосфер. [2]
В результате эффекта фотопроводимости сопротивление селена уменьшается в 100 - 100 000 раз при облучении рентгеновским или у-излучением, при этом происходит разрядка конденсатора. Поскольку степень уменьшения фотосопротивления связана с количеством поглощенной в селеновом слое энергии, заряды на участках свободной поверхности полупроводникового слоя стекают в строгом соответствии с дозой излучения, попавшего на этот участок, и на поверхности предварительно заряженной селеновой пластины создается рельеф потенциала, образующий электростатическое изображение контролируемого объекта. Это электростатическое изображение делают видимым, проявляя его с помощью заряженных мелкодисперсных частиц красителей. [3]
Смит обнаружил, что сопротивление селена изменяется при освещении. В 1875 г. был создан первый селеновый фотоэлемент, в котором использовалось это явление. [4]
Типичным примером такого внутреннего фотоэффекта является изменение сопротивления селена при его освещении. На рис. 4.68 показана схема установки для наблюдения этого явления. При освещении исследуемого полупроводника, соединенного через металлические электроды / С с гальванометром О и источником напряжения, наблюдается ток. Как только освещение прекращается, ток спадает до ничтожной величины, называемой темповым током. [5]
Кроме того, оказалось, что при быстром изменении силы света сопротивление селена не успевает изменяться одновременно с ним. Например, сила света уже возросла до предельной величины, а сопротивление еще продолжает уменьшаться или облучение селена уже прекращено, а сопротивление селена продолжает нарастать. При очень быстром изменении силы света может наступить такой момент, когда селен перестанет изменять свое сопротивление и будет реагировать на какое-то среднее значение силы света. Естественно, что такой преобразователь света не может служить для электрической передачи изображений. Отставание процессов, происходящих в селене, или, как часто говорят, инерционность селена, сильно искажает изображение даже при сравнительно медленных скоростях его развертки. [6]
Воздействие света, падающего на селен, выражается в вырывании электронов из некоторых атомов внутри селена, в результате чего образуется дополнительное число свободных электронов и сопротивление селена уменьшается. [7]
В отличие от других проводников, селен заметно меняет свое сопротивление электрическому току в зависимости от того, освещен ли он или находится в темноте. Увеличивается сила света - уменьшается сопротивление селена, и через него проходит больший электрический ток. Сила света уменьшается, и в то же время спадает сила тока. [8]
 |
Схема устройства фотоэлемента, действие которого основано на внешнем фотоэффекте.| Внешний вид фотоэлемента. [9] |
Английские электрики Мей и Смит при испытании подводного кабеля в 1873 г. в качестве изоляции применили селен. В процессе испытаний Мей заметил, что при освещении сопротивление селена уменьшается. [10]
Кроме того, оказалось, что при быстром изменении силы света сопротивление селена не успевает изменяться одновременно с ним. Например, сила света уже возросла до предельной величины, а сопротивление еще продолжает уменьшаться или облучение селена уже прекращено, а сопротивление селена продолжает нарастать. При очень быстром изменении силы света может наступить такой момент, когда селен перестанет изменять свое сопротивление и будет реагировать на какое-то среднее значение силы света. Естественно, что такой преобразователь света не может служить для электрической передачи изображений. Отставание процессов, происходящих в селене, или, как часто говорят, инерционность селена, сильно искажает изображение даже при сравнительно медленных скоростях его развертки. [11]
Ширина запретной зоны, судя по границе поглощения, равна 0.8 эл. Всестороннее давление уменьшает ширину запретной зоны и расстояние от уровней примесей до границы зоны. Сопротивление селена убывает на 30 % при повышении давления на 1000 атм. [12]
Ширина запретной зоны, судя по границе поглощения, равна 0.8 эл. Всестороннее давление уменьшает ширину запретной зоны и расстояние от уровней примесей до границы зоны. Сопротивление селена убывает на 30 / 0 при повышении давления на 1000 атм. [13]
Первые исследования свойств полупроводников были проведены еще в XIX веке. Фарадей обнаружил, что сульфид серебра обладает отрицательным температурным коэффициентом сопротивления и указал, что эта особенность отличает его от металлических проводников, у которых с повышением температуры сопротивление возрастает. Смитом было описано уменьшение сопротивления селена под воздействием света ( явление фотопроводимости), а в 1876 г. В. [14]
При облучении некоторых полупроводников или диэлектриков освобождаемые электроны не выходят наружу, а, оставаясь внутри этих тел, увеличивают их электропроводность. Это явление называется внутренним фотоэффектом. Типичным примером внутреннего фотоэффекта является изменение сопротивления селена при его освещении. На рис. 4.68 показана схема установки для наблюдения этого явления. При освещении исследуемого полупроводника, соединенного через металлические электроды К с гальванометром G и источником напряжения, наблюдается ток. Как только освещение прекращается - ток спадает до ничтожной величины, называемой темповым током. В металлах внутренний фотоэффект не обнаруживается в силу того, что концентрация свободных электронов в них очень велика; добавление небольшого числа электронов за счет внутреннего фотоэффекта не изменяет этой концентрации. [15]
Страницы: 1 2