Сопротивление - диффузионный слой
Cтраница 1
Сопротивление диффузионного слоя зависит от плотности тока, так как при протекании его концентрация в этом слое изменяется. Омическое падение потенциала в диффузионном слое состоит из омического падения потенциала, обусловленного локальными изменениями электропроводности электролита, и из жидкостного диффузионного потенциала, вызванного падением концентрации в диффузионном слое. [1]
Большему значению соответствует уменьшение сопротивления диффузионного слоя ( R6), для чего, как это автоматически получается в системе МДП, слой р-п-перехода нужно располагать на минимальной глубине. [2]
Лимитирующим сопротивлением в этом случае является сопротивление диффузионного слоя, хотя скорость транспорта вещества равна скорости химической реакции. [3]
Однако в этом случае не обязательно, чтобы в результате диффузии происходило образование р-п перехода. Тогда приповерхностные заряженные центры хотя и снизят сопротивление диффузионного слоя, но оно будет оставаться более высоким, чем р исходного полупроводника. [4]
Возникновение поляризации может быть связано с химическими или физическими изменениями электродов, вызванными прохождением через них тока, с замедленной скоростью переноса вещества к электроду, медленным внедрением ионов в кристаллическую решетку или с медленным выводом их из нее. Имеются и другие причины поляризации, например, замедленный перенос заряда или низкая скорость химической реакции, предшествующей его переносу. Величина поляризации зависит также от омического сопротивления раствора и сопротивления внутри диффузионного слоя. Поляризацию можно измерить, и она не зависит от природы потенциала Е - о, который не обязательно должен быть равновесным. [5]
Расход газа-носителя ( обычно сухой азот) поддерживают равным 1 л / мин. Наличие влаги в газе-носителе приводит к образованию метафос-форной кислоты и повышению сопротивления диффузионного слоя. При слишком высоких или низких скоростях газового потока концентрация паров РгОо над поверхностью кремния падает ниже необходимого уровня. [6]
 |
Прямые вольт-амперных характеристик для двух диодов, различающихся по значениям W / Lp. [7] |
Контакты к диффузионному слою были изготовлены вжиганием серебряной пасты при / 500 С. Обратное напряжение равно 10 - 25 в при токе 10 - 100 мка. Хотя прямые падения данных диодов относительно невелики, однако наличие последовательного сопротивления величиной 20 - 100 ом нельзя объяснить сопротивлением исходного кристалла л-типа и, тем более, сопротивлением диффузионного слоя. Для появления его необходимо предположить наличие слоя повышенного удельного сопротивления. [8]
 |
Прямые вольт-амперных характеристик для двух диодов, различающихся по значениям W / Lp. [9] |
Омические контакты к n - области создавали вплавлением сплава Аи - Та либо Ni - W. Контакты к диффузионному слою были изготовлены вжиганием серебряной пасты при t s 500 С. Обратное напряжение равно 10 - 25 б при токе 10 - 100 мка. Хотя прямые падения данных диодов относительно невелики, однако наличие последовательного сопротивления величиной 20 - 100 ом нельзя объяснить сопротивлением исходного кристалла n - типа и, тем более, сопротивлением диффузионного слоя. Для появления его необходимо предположить наличие слоя повышенного удельного сопротивления. [10]
Страницы: 1