Cтраница 1
Сопротивление тиристора приблизительно равно сопротивлению полупроводникового диода в прямом ( направлении. [1]
Сопротивление тиристора в это время мало, так как велики концентрации неосновных носителей около р-л-переходов. К моменту t сильно легированная р-база теряет избыточный заряд неравновесных носителей и напряжение и3 на р - / г-переходе 1 падает до нуля, а затем изменяет знак. [2]
Сопротивление тиристора в это время мало, так как велики концентрации неосновных носителей заряда около / / - л-перехо-дов. [3]
При этом сопротивление тиристора велико и определяется, главным образом, величиной обратного сопротивления среднего / п-перехода / / ( рис. 6.5), который оказывается включенным в непроводящем ( направлении. Два других р-я-перехюда - / и / / / ( рис. 6.5) - включены в прямом направлении и существенного влияния на величину сопротивления тиристора не оказывают. [4]
Учтите, что сопротивление тиристора на этом участке невелико. [5]
Вы считаете, что сопротивление тиристора в режиме пробоя в четыре раза отличается от сопротивления Rit так как постоянные времени, определяемые из графика рис. 5.7, при заряде и разряде конденсатора отличаются друг от друга в четыре раза. Отсюда ясно, что сопротивление тиристоров в режиме пробоя R2 tgap / Q не равно 400 Ом. [6]
![]() |
Вольт-амперная характеристика тринистора.| Вольт-амперная характеристика симметричного тиристора. [7] |
Ток, при котором сопротивление тиристора становится отрицательным, называют током включения / ил - Для того чтобы перевести тиристор из открытого ( включенного) состояния в закрытое, необходимо снизить ток через него до значений, меньших значения у дер ж и в а ю щ е г о тока / уд. [8]
Вы, видимо, определили сопротивление тиристора в режиме пробоя по отношению постоянных времени цепи заряда и разряда конденсатора т1ар / тразр. Из графика рис. 5.7 можно найти, что это отношение равно четырем. [9]
Вы правильно считаете, что сопротивление тиристора в режиме пробоя меньше сопротивления резистора Ri. Но Вы ошибочно считаете, что оно будет в два раза меньше Ri. Вы, очевидно, считали, что это отношение равно двум. Теперь Вы знаете свою ошибку и легко найдете правильный ответ. [10]
![]() |
Схема проверки исправности ВЧ-диопов.| Схемы проверки исправности транзисторов. [11] |
Простейший способ проверки тиристоров показан на рис. 70: сопротивление исправного тиристора составит несколько мегаом, а пробитого - близко к нулю. [12]
В этой переходной области 2 имеет место резкое уменьшение сопротивления тиристора. [13]
При питании от источника постоянного напряжения можно прекратить анодный ток и восстановить сопротивление тиристора лишь прервав ток в анодной цепи. При переменном напряжении источника сопротивление тиристора восстанавливается в отрицательную полуволну анодного напряжения. При этом запирание вентилей также характеризуется некоторой инерционностью. Инерционность запирания тиристоров, как и полупроводниковых диодов, объясняется конечной скоростью распространения зарядоносителей. Время восстановления запирающих свойств тиристора зависит от температуры кристалла тиристора, амплитуды отрицательного запирающего напряжения, крутизны восстанавливающего положительного запирающего напряжения, силы прямого тока перед коммутацией, крутизны тока в процессе коммутации. Время выключения в наибольшей степени зависит от температуры и отрицательного запирающего напряжения после коммутации. [14]
Всегда следует иметь в виду, что гобр и гпр и гобр С R06p, а гпр - сопротивление тиристора или диода прямому току. [15]