Сопротивление - цепь - база
Cтраница 1
 |
Графики переходных токов и напряжений в инверторе.| Схемы замещения инвертора на этапе задержки отпирания. [1] |
Сопротивление цепи базы гб не учтено, так как при токовом управлении его роль незначительна. [2]
С разрядом емкости сопротивление цепи базы возрастает, ток базы резко уменьшается. Если это происходит в то время, когда пассивная область базы еще не освободилась от неравновесных носителей, то при этом произойдет самооткрывание транзистора. [3]
Таким образом, время импульса и время паузы определяются параметрами цепочки обратной связи С гь сопротивлением цепи базы триода и величиной управляющего - напряжения. [4]
 |
Схема контрольной проверки триодов. [5] |
Устройство рассчитывается на определенное коллекторное напряжение ( обычно 12 в), для которого и подбираются сопротивления цепи базы. [6]
 |
Графики э.д. с. на полуобмотках TPz и ТР3 реле ЗЗП-1. [7] |
ТТНП, коэффициента преобразования входных токовых цепей, коэффициента усиления усилителя переменного тока, соотношения числа витков обмоток ТР3 и сопротивления цепи базы транзистора Т3; фр - угол сдвига фаз 3 / 0 относительно 3 U0; Y - угол сдвига фаз 3 / 0 и напряжения на выходе усилителя переменного тока. [8]
 |
Переходные процессы в инверторе с форсирующей емкостью. [9] |
Ускоряющая емкость в какой-то мере приближает токи управления транзистором к идеальному сигналу ( см. рис. 3.10) и включается параллельно сопротивлению цепи базы, как показано на рис. 4.5, а. [10]
Процесс расчета подобен расчету основного ненасыщенного триггера, за исключением того, что перекрестные цепи обратной связи обеспечивают усиление и позволяют снизить сопротивление цепи базы для улучшения температурной стабильности. Цепи обратных связей допускают также дополнительное форсирование для повышения скорости. Для рассмотренной схемы может быть получена частота повторения импульсов порядка 5 Мгц. [11]
Однако при высоких температурах токи / со этих транзисторов могут стать достаточно большими, и, поскольку эти токи протекают в цепях баз, изменение их напряжения будет давать результаты, пропорциональные сопротивлению цепи базы. Поскольку сопротивление D мало, изменение напряжения на базе транзистора Т7 также мало, но как изменение сопротивления, так и изменение напряжения на базе транзистора Т8 сравнительно велики. Важно также, что Rn и Rlz имеют сходный температурный коэффициент сопротивления. [12]
 |
Эквивалентная схема цепи коллектора транзистора. [13] |
Если рассматривать область только высоких частот, то эквивалентную схему рис. 4.31, б можно преобразовать в схему, показанную на рис. 4.38. При этом учитывается, что из-за сравнительно большого значения диффузионной ем-кости базы она на высоких частотах обладает малым сопротивлением, так что все сопротивление цепи базы только объемное. В режиме короткого замыкания цепи коллектора емкость Скб не играет роли, а емкость Скэ. [14]
 |
Радиатор из металлических пластин для теплоотвода. [15] |
Страницы: 1 2