Cтраница 3
Термист оры обладают существенными преимуществами перед нитями: меньшими размерами, значительно большим сопротивлением и температурным коэффициентом сопротивления. [31]
![]() |
Зависимость удельного сопротивления электролита от его плотности ( температура электролита 20 С. [32] |
Приведенные данные показывают, что продукт разряда ( сульфат свинца) имеет значительно большее сопротивление, чем исходные материалы. Поэтому сопротивление электродов с увеличением разряженности аккумулятора растет. [33]
Эти слоистые материалы по сравнению с гетинаксом обладают большей ударной вязкостью, значительно большим сопротивлением раскалыванию, но уступают гетинаксу в отношении предела прочности на разрыв и предела прочности при статическом изгибе. При обточке и фрезеровании текстолиты не расслаиваются и не скалываются, но стоимость их в среднем в 2 5 - 3 раза выше стоимости гетинакса. [34]
Эти слоистые материалы по сравнению с гетинаксом обладают большей ударной вязкостью, значительно большим сопротивлением раскалыванию, не уступая гетинаксу в отношении предела прочности на разрыв и предела прочности при статическом изгибе. Стеклотек-столиты плохо поддаются механической обработке, так как стеклянное волокно является абразивом для стального инструмента. [35]
Высота камеры подъемника должна быть такой, чтобы столб материала в ней обладал значительно большим сопротивлением прохождению воздуха, подводимого в камеру, чем сопротивление вертикального транспортного материалопровода. [36]
При движении судно, подводная часть которого обросла морскими с / рганизмами, испытывает значительно большее сопротивление, что снижает скорость судна или требует увеличения мощности его двигателей. Отмечены также случаи, когда морские обрастания затрудняли поступление морской воды к домнам приморского металлургического завода и к конденсаторам турбин приморской электростанции. [38]
![]() |
Схемы дробеочистки. а - всасывающая. б - нагнетательная. [39] |
Схема под давлением имеет большее гидравлическое сопротивление, чем схема под разрежением, вследствие значительно большего сопротивления инжектора и большей плотности воздуха. [40]
Кроме того, надо иметь в виду, что электрическая цепь зондов должна обладать значительно большим сопротивлением, чем сопротивление проводящих слоев электролита между теми точками, в которых стоят зонды; в противном случае включение зондов также может исказить поле. [41]
Шунтовая обмотка / состоит из большого числа витков тонкой проволоки; поэтому она обладает значительно большим сопротивлением, чем обмотка 4, имеющая небольшое число витков толстой проволоки. Шунтовая обмотка включена так, что она все время находится под полным напряжением генератора. [42]
Для типа, исследованного в опытах № 8, 9 и 10, следует ожидать значительно большего сопротивления по сравнению с типом, исследованным опытами № 1 - 5, в результате большей протяженности суженных мест и отчасти резкой, не плавной формы расширений и сужений. [43]
Напряжения источников питания оказываются приложенными в основном к переходам, обладающим по сравнению с областями транзистора значительно большими сопротивлениями, поэтому можно считать, что электрическое поле в базе бездрейфового транзистора практически отсутствует и перемещение дырок от эмиттера к коллектору происходит только из-за процесса диффузии. При непрерывной инжекции ( / э const) в базе устанавливается практически линейное распределение концентрации дырок, которое и предопределяет их перенос через базу. Концентрация собственных неосновных носителей ( дырок) в базе пренебрежимо мала и на рис. 3 - 5, в не показана. [44]
Напряжения источников питания оказываются приложенными в основном к переходам, обладающим по сравнению с областями транзистора значительно большими сопротивлениями, поэтому можно считать, что электрическое поле в базе бездрейфового транзистора практически отсутствует и перемещение дырок от эмиттера к коллектору происходит только из-за процесса диффузии. При непрерывной инжекции ( Ia const) в базе устанавливается практически линейное распределение концентрации дырок, которое и предопределяет их перенос через базу. Например, конкретному току эмиттера / Э2 соответствует кривая распределения 2, показанная на рис. 3 - 5, в. Концентрация собственных неосновных носителей ( дырок) в базе пренебрежимо мала и на рис. 3 - 5, в не показана. [45]