Объемное сопротивление - материал
Cтраница 1
Объемное сопротивление материалов, имеющих слоистое строение ( например, гетинакс, текстолит, слюда), зависит от направления тока по отношению к слоям. Когда ток проходит через материал перпендикулярно слоям ( обычное измерение Rv), то сопротивление больше, чем в том случае, когда ток проходит параллельно слоям. Для оценки сопротивления в последнем случае служит так называемое внутреннее сопротивление Rt; его измеряют между двумя коническими или круглыми электродами, располагаемыми в высверленных в материале отверстиях. Оси этих электродов расположены взаимно-параллельно, а по отношению к слоям материала - перпендикулярно. [1]
Объемное сопротивление материалов, имеющих слоистое строение ( например, гетинакс, текстолит, слюда), зависит от направления тока по отношению к слоям. Для оценки сопротивления в последнем случае служит так называемое внутреннее сопротивление Rt; его измеряют между двумя коническими или круглыми электродами, располагаемыми в высверленных в материале отверстиях. Оси этих электродов расположены взаимно-параллельно, а по отношению к слоям материала - перпендикулярно. [2]
Следовательно, влияние объемного сопротивления материала полупроводника всегда необходимо учитывать при определении величины остаточного напряжения на открытом транзисторе, особенно при его инверсном включении. [3]
 |
Диффузионные резисторы полупроводниковых ИС.| Топологические схемы диффузионных резисторов. [4] |
На рис. 3 - 38 показаны продольные сечения диффузионных резисторов, в которых используется объемное сопротивление материала локальных областей, образованных в процессе формирования базы и эмиттера п-р - п транзисторов. Базовая диффузия применяется для получения резисторов средних номиналов ( сотни ом - десятки килоом), а эмиттерная - для более низкоомных резисторов. [5]
Вольт-амперные характеристики реального транзистора отличаются от соответствующих вольт-амперных характеристик идеализированной модели за счет влияния объемного сопротивления материала областей транзистора, поверхностных утечек р-л-пере-ходов, эффекта модуляции ширины базы, процессов рекомбинации-генерации в слое объемного заряда и ряда других факторов. В первом приближении учет влияния указанных факторов на поведение вольт-амперных характеристик реального транзистора может быть осуществлен введением в эквивалентную схему идеализированной модели транзистора рис. 1 - 6 сопротивлений г3, гк и Гб, вклкуенных последовательно с электродами идеализированной модели, и сопротивлений гэб, и rKg, включенных параллельно р-п-переходам. [6]
Если сопротивления гэ, гк и гб, наличие которых обусловлено, в основном, влиянием объемного сопротивления материала полупроводника, можно считать не зависящими от величины протекающего через них тока, то сопротивления гэб и гкб - нелинейны, и их величина существенно зависит от приложенного к соответствующему переходу напряжения. [7]
Образуются электропроводящие участки на поверхности материалов, в результате чего резко снижается поверхностное сопротивление; в ряде случаев снижается и объемное сопротивление материалов. [8]
Рассмотрение этих процессов целесообразно начать с анализа идеализированной модели несимметричного сплавного транзистора, которая учитывает только диффузионный характер переноса носителей в области базы и не учитывает влияния объемных сопротивлений материала полупроводника, процессов рекомбинации - генерации носителей в слое объемного заряда, зарядных емкостей p - n - переходов и других факторов. [9]
На эксплуатационные свойства контактов большое влияние оказывают физические процессы, происходящие во время работы контактов. Контактное сопротивление определяется объемным сопротивлением материала контактов, величиной площадки их действительного сопротивления и наличием в ряде случаев поверхностной пленки, сокращающей размеры фактически проводящей поверхности. [10]
Очевидно, что молекулы воды могут проникать внутрь диэлектрика по капиллярам и лорам, если размеры последних больше мал акулы воды. Проникающая внутрь диэлектрика вода понижает объемное сопротивление материала. Наиболее резко снижается сопротивление у неорганических диэлектриков и менее резко - у органических. Например, у мрамора поглощение 0 1 % влаги вызывает понижение удельного объемного сопротивления Роб в 107 - 108 раз, а у бумаги 1 % влаги снижает р б в 103 - 104 раз. [11]
Полупроводниковые резисторы изготовляют одновременно с активными элементами. Они обычно выполняются в виде прямоугольного слоя полупроводника при базовой диффузии и называются диффузионными. В таких резисторах используется объемное сопротивление материала, имеющего определенную степень легирования. [12]
Контактное сопротивление замкнутого геле обычно меньше 200 мОм, и значение 50 мОм не является чем-то недостижимым. Сопротивление в разомкнутом состоянии при нормальных условиях обычно порядка 1010 Ом. Оно зависит в основном от поверхностной утечки и объемного сопротивления материала капсулы. Сопротивление утечки между контактами и катушкой возбуждения зависит от конструкции реле, а также от поверхностного и объемного сопротивления материала, изолирующего контактные проводники от проводников катушки возбуждения. [13]
Это согласуется с выводами Кингстона, что при больших обратных смещениях проводимость должна быть пропорциональна 1 / F. Замечательно, что, как видно из равенства ( 50), проводимость канала при F - - F0 в указанных условиях не зависит от объемного сопротивления материала. [14]
Другой составляющей темнового тока фотоумножителя является ток утечки через изоляцию между анодом и другими электродами. Сопротивление изоляции анода от других электродов определяется объемным и поверхностным ( по внутренней и наружной поверхности) сопротивлениями цоколя, на который выведены электроды умножителя, или же стеклом колбы, если анод выведен отдельно через стенку колбы. Вывод анода через стенку колбы отдельно от других электродов делается специально для увеличения сопротивления изоляции. В данном случае объемное сопротивление материала ( стекла) значительно превышает поверхностные сопротивления, поэтому изоляция практически определяется состоянием поверхности. Величина токов утечки по внутренней поверхности колбы умножителя определяется в первую очередь оседанием тончайшей пленки избыточного цезия, оставшегося в приборе после окончания процесса активации. [15]
Страницы: 1 2