Динамическое сопротивление - диод
Cтраница 3
Это достигается за счет тока ( в грубом приближении постоянного), получаемого от источника большего напряжения в той же схеме. Важно понять, как будет вести себя соответствующее напряжение на зенеровском диоде ( зенеровское напряжение пробоя) при изменении питающего тока; это изменение есть мера влияния изменений питающего тока. Оно характеризуется динамическим сопротивлением зенеров-ского диода, определяемым при заданном токе. Учтите, что динамическое сопротивление зенеровского диода в режиме стабилизации изменяется обратно пропорционально току. [31]
 |
Принципиальная электрическая схема блока УКВ ( А1 радиолы Сириус-315 - пано. [32] |
Сигнал АРУ с выхода детектора VD5 подается через фильтры R34 С64 и С42 R8 в базовую цепь транзистора VT2 и через R22 С41 и R20 - на базу VT3, образуя параллельную схему АРУ. При увеличении сигнала и срабатывания АРУ уменьшается ток через транзистор VT3 и диод VD2, включенный в цепь эмиттера. Динамическое сопротивление диода возрастает, увеличивается ООС и соответственно уменьшается усиление каскада. Диод VD3 включен между коллекторами транзисторов VT3 и VT4 так, чтобы при отсутствии сигнала или малом сигнале он был заперт. При увеличении сигнала по мере действия АРУ повышается напряжение на коллекторе транзистора VT3, диод VD3 отпирается и создает ООС транзистора VT4, уменьшая пропорционально его усиление. [33]
Если необходимо получить колебания более высокой частоты, толщина кристалла становится слишком малой. В этом случае используют несколько другой механизм генерации, не связанный непосредственно с временем прохождения домена через весь кристалл. Домен формируется в течение некоторого отрезка времени. Поместив диод в резонатор с достаточно высокой добротностью, можно воспрепятствовать полному формированию домена; который уже в начале своего формирования наводит в резонаторе ток и отдает мощность во внешнюю цепь. Возникающее в резонаторе напряжение вычитается из напряжения источника пи-гания диода, в результате чего напряженность электрического поля в диоде уменьшается. При достаточно большой добротности резонатора напряженность поля в диоде падает ниже того порогового значения, при котором динамическое сопротивление диода отрицательно, и домен рассасывается. Начало формирования нового домена определяется тем моментом времени, когда в результате изменения высокочастотного напряжения в резонаторе напряженность поля в кристалле вновь превысит пороговое значение, а затем процесс повторяется. В режиме ОНОЗ частота генерации может быть значительно повышена, поскольку она определяется внешним резонатором, а не размерами кристалла и характером движения домена. [34]
Естественно, потенциал точки 2 также отрицателен. Таким образом, схема будет работоспособна, если при любых изменениях режимов транзисторов потенциал точки 3 будет оставаться отрицательным. При высокой степени идентичности транзисторов это может быть получено за счет существенного разноса рабочих токов первых двух транзисторов. Ток первого транзистора выбирается в пределах 0 1 - 0 3 мА, а второго 0 4 - 0 6 мА, что обеспечивает необходимую разность потенциалов и высокие усилительные свойства транзисторов. В коллекторе второго транзистора ( точка 5) напряжение должно быть еще более отрицательным, чем в коллекторе первого транзистора. Кроме того, в коллекторе второго транзистора должно развиваться заметное переменное напряжение, достаточное для раскачки выходного каскада усилителя. Поэтому для увеличения величины отрицательного потенциала в эмиттер третьего транзистора целесообразно включить кремниевый диод в прямом направлении. Так как динамическое сопротивление диода весьма мало, его не надо шунтировать конденсатором для уменьшения величины отрицательной ОС по переменному току. При дискретном исполнении усилителя для обеспечения полной взаимозаменяемости транзисторов целесообразно ввести дополнительно диод в эмиттер второго транзистора, а в эмиттер третьего включить последовательно два диода или низковольтовый стабилитрон. При интегральном исполнении, когда идентичность транзисторов высока возможно исключение диода из эмиттера третьего транзистора. [35]
Страницы: 1 2 3