Аналогичное сопротивление

Cтраница 1

Аналогичные сопротивления возникают и при неровностях, уступах и впадинах на несущей поверхности грузов. Желание обеспечить гладкую и ровную несущую поверхность грузов и избежать дополнительного сопротивления является одной из причин, способствующих распространению поддонов и тары для транспортирования грузов по роликовым конвейерам. [1]

Аналогичные сопротивления возникают и при плавных изменениях сечения потока. [2]

Rt 8Rlt а аналогичные сопротивления R, Ra и выключатся. [3]

Если сравнить сопротивления г, г 2 проектируемой высокочастотной микромашины с аналогичными сопротивлениями обычных асинхронных машин мощностью порядка сотен киловатт, то можно видеть, что они близки по величине. [4]

Векторные диаграммы токов на стороне повышенного напряжения 7 j ( я и на стороне генераторного напряжения ( б.| Разрыв одной L ( я и двух L ( б фаз и комплексные схемы замещения при разрыве одной ( в и двух ( г фаз.| Исходная схема ( а и комплексные схемы замещения ( б при разрыве фазы А линии электропередачи. [5]

Результирующие сопротивления схем различных последовательностей относительно места разрыва XL1 Х10Ъ XL2Z сУЩественН0 отличны от аналогичных сопротивлений несимметричных КЗ, хотя некоторые расчетные выражения по виду совпадают. [6]

Схема литниковой системы с дросселем для заливки нескольких коленчатых патрубков. [7]

Гидравлические сопротивления литниковой системы при литье в кокиль и оболочковые формы незначительно отличаются от аналогичных сопротивлений при литье в песчаные формы. Поэтому для расчета скоростей потока в литниковых каналах используют экспериментальные значения коэффициента расхода, полученные при литье в песчаные формы. [8]

Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и топология электродов этого транзистора ( б. [9]

Однако даже при наличии скрытого я - слоя сопротивление коллекторной области интегрального транзистора оказывается больше аналогичного сопротивления дискретного транзистора, так как скрытый п - слой отделен от коллекторного электрода высокоомным слоем коллекторной области. [10]

Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и конфигурация электродов этого транзистора ( б. [11]

Однако даже при наличии скрытого п - слоя сопротивление коллекторной области интегрального транзистора оказывается больше аналогичного сопротивления дискретного транзистора, так как скрытый - слой отделен от коллекторного электрода высокоомным слоем коллекторной области. [12]

Расположение обмоток на стержне трехобмото-чного трансформатора. [13]

Согласно уравнению (19.13) индуктивное сопротивление JtK23 короткого замыкания второй и третьей обмоток численно должно равняться сумме аналогичных сопротивлений двух других пар обмоток. Величина же индуктивного сопротивления короткого замыкания двух обмоток трансформатора пропорциональна приведенному расстоянию между ними. [14]

Кроме того, несимметричное внутреннее сопротивление телефонного аппарата, как источника помех, относительно земли всегда значительно больше аналогичного сопротивления телефонной линии. [15]

Страницы: 1 2