Низкое сопротивление

Cтраница 3

Структурная диаграмма системы, приведенной на. [31]

Обладает низким сопротивлением пластической деформации; в технике применяются сплавы железа с различными элементами. [32]

При столь низком сопротивлении утечки индикаторная диаграмма не регистрируется, а можно записать только высокочастотные процессы детонационных ударных волн. [33]

Ограничение сигнала в обла.| Ограничитель на пентоде. [34]

При достаточно низком сопротивлении источника сигнала, когда не происходит заметной нагрузки вследствие протекания сеточного тока, ограничение получается на более высоком уровне входного сигнала. В этом случае ограничение происходит при достижении максимальной проводимости лампы. Во всех электронных лампах для каждого значения напряжения на аноде существует величина положительного смещения сетки, выше которого любое дальнейшее повышение положительного сеточного напряжения не вызывает увеличения анодного тока. Это явление наблюдается только в анодной цепи, так как входное напряжение сигнала относительно не подвержено влиянию. На рис. 12 - 2, 6 приведено семейство анодных характеристик триода, иллюстрирующее указанный эффект. Геометрическое место точек, соответствующих значению максимального тока в зависимости от анодного напряжения, представляет собой так называемую линию критического режима лампы. При данных напряжении анодного питания Ея и сопротивлении анодной нагрузки переменному току максимально возможный анодный ток определяется точкой пересечения линии нагрузки по переменному току с линией критического режима. [35]

Механизм аномально низкого сопротивления движению тел в твердых средах / / Труды Математического Института им. [36]

Механизм аномально низкого сопротивления при движении тел в твердых средах / / Докл. [37]

Непроницаемые пласты низкого сопротивления, представленные глинистыми разностями, отмечаются близкими значениями ркмпз и ркмгз. При наличии больших каверн ( больше диаметра фонаря микрозонда) измеренные микрозондами КС соответствуют удельному сопротивлению промывочной жидкости. [38]

Кривые эффективного сопротивления рэ против одиночных пла. [39]

Границы пластов низкого сопротивления устанавливают так же, как при использовании потенциал-зондов. [40]

Для почв низкого сопротивления следует применять засыпку, состоящую из трех частей бентонитовой глины и одной части гидратированного порошка гипса. Для - почв высокого сопротивления рекомендуется засыпка из двух частей бентонитовой глины, одной части гидратированного порошка гипса и одной части безводного сульфата натрия. Хлориды сильно понижают эффективность магниевых анодов. Для магниевых анодов иногда рекомендуется также смесь из 35 % сульфата магния, 15 % сульфата кальция и 50 % глины. [41]

Характеристики тепловых детекторов. [42]

В силу низкого сопротивления кристалла из я - InSb ( несколько десятков ом) для согласования с последующим видеоусилителем применяется повышаю ший трансформатор, тщательно экранированный от магнитных наводок и помещенный в жидкий гелий вместе с детектором для уменьшения тепловых - шумов потерь. Применение трансформатора сужает полосу приемника для частот модуляции. Повысить выходное сопротивление кристалла можно также за счет его высокой чистоты и специальной формы, что позволяет без трансформатора согласовать его со входом малошумящего транзисторного усилителя. [43]

Диод с [ IMAGE ] Эпитак. [44]

Для получения низкого сопротивления базы диода исходный-кристалл полупроводника выбирают с меньшим удельным сопротивлением. Однако при этом получается малая ширина р-п-пере-хода, малое пробивное напряжение и большая барьерная емкость. Сущность данного метода состоит в том, что какое-либо соединение полупроводникового элемента, разлагаясь у поверхности пластинки из этого же элемента, образует на ней пленку, структура которой является продолжением структуры исходного кристалла - подложки. Чаще всего в качестве соединения применяют хлориды или йодиды германия и кремния. В газообразное соединение полупроводника добавляют вещества, необходимые для легирования эпитаксиальной пленки. [45]

Страницы: 1 2 3 4