Cтраница 3
Время / уст соответствует времени установления прямого сопротивления диода и однозначно связано с длительностью процесса накопления дырок в базе. [31]
В подавляющем большинстве случаев время установления прямого сопротивления диодов туст уменьшается с повышением их быстродействия. Для примера укажем, что точечные диоды типа Д9 и плоскостные типов Д219 - 220 со временем переключения в несколько десятых долей микросекунды характеризуются значением туст да 0, 1 мксек. Быстродействующие точечные диоды типа Д18 имеют туст да 10 н - 20 нсек. Еще быстрее прямое сопротивление устанавливается у быстродействующих плоскостных диодов. Так, для диодов типа Д311 туст составляет несколько наносекунд, а для диодов типов КД503А, Б туст С 2 нсек. [32]
Как влияет величина времени жизни носителей на прямое сопротивление диода и на его импульсные характеристики. [33]
![]() |
Примгры схем двухкасхадных усилителей, стабилизированных обратной связью по постоянному току. [34] |
При этом термэстабилизация получается потому, что прямое сопротивление диода, так же как и тсрморсзистора, с повышением температуры уменьшается. [35]
Таким образом, сопротивление нагрузки Ки за-шунтировано прямым сопротивлением диодов и сопротивлением А.с. Поскольку эти сопротивления малы, напряжение на выходе равно нулю. [36]
Будем считать, что выходные сопротивления генераторов и прямые сопротивления диодов одинаковы: jRii Ri. [37]
Появление прямого тока со временем вызывает некоторое снижение прямого сопротивления диода. [38]
К, величина которого выбрана большой по сравнению с прямым сопротивлением диодов, но малой по сравнению с их обратным сопротивлением. [39]
Обычно, если не делают специальных оговорок, под прямым сопротивлением диода Rnp понимают сопротивление д, соответствующее номинальному прямому току ( или напряжению), указанному в справочнике. [40]
Вся электромагнитная энергия нагрузки выделяется в сопротивлении Лв и прямом сопротивлении диода. [41]
Другим видом переходного процесса в диоде является так называемое установление прямого сопротивления диода. При включении диода в прямом направлении ( при подаче на диод ступеньки напряжения, как это показано на рис. IV. [42]
Рассчитаем переключательную характеристику ключа, предварительно определив напряжение отпирания UOT и прямое сопротивление диода. [43]
Формула (3.54) выведена с предположением, что сумма сопротивлений гкн и прямого сопротивления диода в цепи базы примерно равны / Вхн. [44]
Наличие избыточной концентрации носителей заряда в базе приводит также к снижению прямого сопротивления диода. [45]