Cтраница 4
Значение индуктивности катодного ввода для большинства миниатюрных приемных ламп лежит в пределах 0 01 - 0 02 мкгн. Уравнение ( 3 - 44) основано на допущении, что реактивное сопротивление катодного ввода мало по сравнению с реактивным сопротивлением емкости катод-сетка. [46]
Дополнительное преимущество коаксиальных выводов состоит в том, что вследствие их большой поверхности они вносят очень небольшое дополнительное сопротивление емкостным высокочастотным токам. Это важно по двум причинам: глубина проникновения тока на частотах дециметрового диапазона мала, в связи с чем возрастает роль резистивиых потерь, а емкостный высокочастотный ток имеет большую величину из-за очень малых реактивных сопротивлений емкостей на этих частотах. К тому же в схеме с общей сеткой переменная составляющая анодного тока течет через сетку и ее вывод. Штырьковые выводы не обеспечивают работу при нагрузках, возникающих на сверхвысоких частотах. [47]
Для простоты расчетов предположим, что величина емкости С ( см. рис. 4.21) достаточно велика, вследствие чего величина реактивного сопротивления емкости мала и ею можно пренебречь. Поэтому согласно рис. 4.21 сопротивление, подключаемое ко входу транзистора, является результирующим сопротивлением цепи, состоящей из последовательно включенных сопротивления Х, соответствующего реактивному сопротивлению индуктивности L, и сопротивления, образованного параллельным соединением 50-омного активного сопротивления с ХСг, соответствующего реактивному сопротивлению емкости Сг. [48]
Это объясняется тем, что, когда мы увеличили емкостное сопротивление до 8 ом, оно стало равным реактивному сопротивлению катушки. Поэтому реактивные сопротивления емкости и индуктивности скомпенсировали друг друга и общее реактивное сопротивление цепи стало равным нулю, а в цепи осталось только сопротивление проводов катушки, равное 3 ом. Это сопротивление не зависит от частоты и его называют активным. [49]
![]() |
Характер изменения реактивного сопротивления емкостей обратной связи и параллельных им потерь в диапазоне частот.| Зависимость щего сопротивления Я У от частоты. [50] |
При изменении частоты кварцевого резонатора изменяется его динамическое сопротивление RK, входная и выходная проводимости транзистора и потери, вносимые внешними активными сопротивлениями. Так, при увеличении частоты уменьшаются реактивное сопротивление емкости связи и активное сопротивление, включенное параллельно емкостям связи. [51]
Помимо активного сопротивления цепи переменного тока, содержащие индуктивность ( катушки трансформаторов, двигателей) и емкость ( конденсаторы), обладают реактивным сопротивлением. Сопротивление катушек называется индуктивным сопротивлением цепи или реактивным сопротивлением индуктивности. Сопротивление конденсаторов называется емкостным сопротивлением или реактивным сопротивлением емкости. [52]
На практике величину сопротивления R3 выбирают из условия R3 - 0 2R2, и R3 должно быть примерно в 10 раз больше реактивного сопротивления С3 на самой низкой частоте, которую должен пропускать усилительный каскад. На рис. 1.8 приведена часть схемы усилителя с типичными значениями элементов. В усилителях радиочастоты величина емкости может быть значительно меньше, так как для ВЧ-сигналов реактивное сопротивление емкости существенно ниже. [53]
В усилительном каскаде емкость Свх невелика. Обычно в рабочем диапазоне частот реостатных усилителей справедливо неравенство свх - йр. На высоких частотах емкость Ст через малое сопротивление г я гэ / 2 и малое реактивное сопротивление емкости CQ ( С § С) присоединяется к земле параллельно емкости Сн. Емкость Ска Ск ( 1 В) составляет величину порядка нескольких тысяч пикофарад и у реальных транзисторов имеет большой разброс. [54]
![]() |
Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [55] |
Качество выпрямления характеризуется отношением обратного сопротивления диода к прямому. Обратное сопротивление диода, как видно из эквивалентной схемы, определяется параллельным соединением гп и реактивного сопротивления емкости С. С повышением частоты сопротивление емкости падает, что приводит к уменьшению с частотой обратного сопротивления диода и снижению коэффициента выпрямления. На частотах, при которых сопротивление емкости становится сравнимым с г0, вентильные свойства диода практически исчезают. Поэтому в диодах, предназначенных для работы на высоких частотах, стремятся уменьшить емкость р-п переходов, делая их точечными. Кроме того, сопротивление полупроводникового материала выбирается малым для снижения прямого сопротивления диода. [56]