Дифференциальное сопротивление

Cтраница 3

Обычно дифференциальное сопротивление измеряется при фиксированном значении постоянного прямого тока. Этот параметр проверяют у высокочастотных диодов, варикапов, а также у диодов, используемых главным образом для ограничения видео - и радиоимпульсов. [31]

Дифференциальное сопротивление тиристоров в открытом состоянии определяется аналогично дифференциальному прямому сопротивлению диодов, а ударная мощность потерь в обратном непроводящем состоянии - аналогично ударной мощности обратных потерь диодов. [32]

Дифференциальное сопротивление Rn определяет наклон рабочего участка а-б вольтамперной характеристики. Оно имеет такую величину, при которой изменение тока вызывает изменение напряжения t / CT в пределах 0 2 - 0 4 В. Чем больше эта величина, тем больше меняется напряжение на диоде при изменениях тока стабилизации. Поэтому при создании стабилитронов стремятся достичь минимального Rn, величина которого определяется механизмом пробоя. [33]

Дифференциальное сопротивление гс в области насыщения согласно ( 5 - 29) равно бесконечности. Практически оно может составлять несколько мегаом Конечная величина гс обусловлена модуляцией длины канала ( см, выше): с ростом 1 / с длина L уменьшается, уменьшается сопротивлением RKii [ см. ( 5 - 28) ] и ток / с согласно ( 5 - 2G) несколько возрастает. [34]

Дифференциальное сопротивление гэ обратно пропорционально току эмиттера. [35]

Дифференциальное сопротивление светодиодов на линейном участке весьма мало ( меньше 1 Ом), поэтому их можно использовать и как стабилитроны для малых напряжений стабилизации. Наибольший ток, проходящий через светодиод, не превосходит нескольких десятков миллиампер. [36]

Дифференциальное сопротивление динистора на этом участке отрицательно. При-приближении режима работы динистора к участку АБ происходит переключение его из одного состояния в другое. Динисторы относятся к неуправляемым коммутирующим элементам. [37]

Кристалл полевого транзистора с управляющим р-п переходом и каналом р-типа ( КП102 ( а, корпуса транзистора ( б, а, условное графическое изображение и цоколевка ( г. [38]

Дифференциальное сопротивление участка затвор - исток при разомкнутой цепи стока зи Д зи / Д / з соответствует дифференциальному сопротивлению обратно включенного диода гд. Этот параметр имеет значения от нескольких сотен килоом до нескольких ме-гаом. [39]

Дифференциальное сопротивление Кд в точке т пропорционально тангенсу угла а на рис. И. [40]

Дифференциальное сопротивление гд - предел отношения приращения напряжения на нелинейном элементе к приращению тока в нем, когда последнее стремится к нулю. Иными словами, это производная от напряжения по току в масштабе тг. [41]

ВАХ стабилитрона.| ИОН на основе стабилитрона. [42]

Дифференциальное сопротивление гд оказывает влияние на стабильность выходного напряжения ИОН при изменении нагрузки; важно, чтобы это сопротивление было по возможности меньше. Ом) и возрастает при Uc 10 В. [43]

S. Вольт-ам. срн. я характеристика термистора. [44]

Дифференциальное сопротивление ПТС - на значительной части характеристики отрицательно. В лабораторных условиях оыли йены ишы и нера-торы на ПТС на частоты до 10 кгц, не получившие, правда, практического применения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5