Дифференциальное сопротивление - эмиттерной переход
Cтраница 1
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода с увеличением температуры изменяется как динамическое сопротивление диода, включенного в прямом направлении. [1]
Это соотношение и позволяет найти дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода. [2]
Согласно ( 12 - 33) прямо пропорционально Т изменяется и дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода. [3]
Важным параметром, характеризующим зависимость / э - / ( ЭБ) служит величина дифференциального сопротивления эмиттерного перехода гэ диф. [4]
Гб - омическое сопротивление базы, гэ - иЭб / Ля-0 025 / / э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, В / мА; rK rK / ( l - ( - / Z2ia) и гк duK6 / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [5]
При уменьшении тока коллектора для снижения приведенного входного дрейфа тока падает коэффициент передачи тока а и возрастает дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода гэ. Снижение коэффициента усиления каскада в результате влияния этих эффектов определяет нижний предел тока коллектора первого каскада. В результате можно сказать, что типичным входным каскадом с малым дрейфом является дифференциальный усилитель с величиной тока коллектора от 10 до 200 мка. Напряжение на коллекторе должно быть 6 в или меньше, чтобы снизить ток утечки. [6]
Согласно (2.15) при / э / эо, где / эо - теп ловой ток эмиттерного перехода, дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода гэфт / / э - Оно имеет малое значение, уменьшается с ростом тока / э и увеличивается при повышении температуры. [7]
 |
Схема каскада 05. [8] |
Гб - омическое сопротивление базы, значение которого составляет 100 - 150 Ом; гэймЭбА & э - 0 025 / / э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, В / мА; гк гк / ( 1 Л21э) и rK duKQ / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [9]
На рис. 4.33 приведена типичная зависимость граничной частоты от тока эмиттера. В области малых токов в соответствии с (4.39) граничная частота увеличивается с ростом тока, что обусловлено уменьшением дифференциального сопротивления эмиттерного перехода. В области больших токов с ростом тока увеличиваются толщина базы ( эффект Кирка) ( см. § 4.5) и время пролета электронов через базу, поэтому граничная частота уменьшается. [10]
Когда напряжение, приложенное к стабилитрону VD5, уменьшаясь, станет равным напряжению его включения, транзисторы VT5, VT6 закроются, реле К2 отпустит якорь и устройство перейдет в дежурный режим. Время разрядки конденсатора С6, определяющее длительность подачи сигналов тревоги, зависит от емкости конденсатора С6, сопротивления резистора Я70, напряжения стабилизации стабилитрона VD5 и дифференциального сопротивления эмиттерного перехода составного транзистора VT5VT6, а также от разницы напряжений стабилизации стабилитронов. Если в дежурном режиме сторожа открыть любую другую дверь ( кроме двери водителя), капот или багажник, то через контакты соответствующих выключателей SF2 - SF6 и через диод VD2 запускается узел включения, а через контакты К1 2реле К1 - узел формирования прерывистого тревожного сигнала. [11]
Если последнее предположение не вызывает сомнений, а первое всегда с достаточной степенью точности может быть выполнено на практике, то возможности пренебрежения емкостями Ск и Сэ необходимо оценить. Так как в типовом усилительном режиме дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода имеет порядок 10 ом, а Сэ яг 10 - 9 ф, то очевидно, что в диапазоне частот колебаний до нескольких мегагерц пренебрежение емкостью Сэ приводит к совершенно незначительной погрешности. [12]
 |
Схема дифференциального каскада с общим эмиттером. [13] |
Для входного каскада следует использовать транзисторы с возможно лучшими статическими характеристиками. В схеме на рис. 8 - 18 оптимальная величина тока коллектора первого каскада выбрана равной 50 мка. При работе на более низких уровнях тока снижается коэффициент усиления, поскольку падает величина коэффициента передачи тока а и растет дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода гэ, что увеличивает дрейф второго каскада. [14]
Страницы: 1