Темновое удельное сопротивление

Cтраница 1

Темновое удельное сопротивление этих пленок повышается при увеличении концентрации Zn. [1]

Темновое удельное сопротивление пленок сплава CdS Sej-x, осаждаемых из раствора [46], не зависит от их химического состава. [2]

Типичные спектры ИК-поглощения на пленках a - Si.. Н для фоторецепторов и солнечных элементов ( СЭ 43J. [3]

Как известно, темновое удельное сопротивление пленки a - Si, изготовленной методом разложения в ТР, не превышает 10 Ом см. Этого недостаточно для накопления поверхностного заряда. [4]

Фоточувствитсльность и накопление заряда в зависимости от отношения дигидридных и моногидридных связей в пленках a - Si. Н с 0 01 % ( по массе кислорода 431.| Занисимость фоточувствительности и накопления заряда от концентрации кислорода в a - Si. II-пленках, легированных бором при В2Н6. SiH4 Ю 4 44J. / положительный заряд. 2 - отрицательный заряд. [5]

Карлсона, Необходимо иметь темновое удельное сопротивление более 10 3 Ом см. Поэтому интенсивные усилия были направлены на получение собствен ных пленок с использованием сложных методов легирования. [6]

Спектральные зависимости фототика для различных типов монокристаллов, снятые при 293 К. Z-1 тип. г - II тип. 5 - iif тип ( 0 25 % Ш.| Спектры люминесценции различных типов монокристаллов, снятые при 90 К.| Схема электронных переходов, реализующаяся в монокристаллах Bi. l. i. [7]

Уменьшаются в 10 - 100 раз темновое удельное сопротивление и интегральная фоточувствительность по сравнению со стехиоме-трическнми кристаллами. [8]

Известно много фотополупроводников, имеющих достаточно высокое темновое удельное сопротивление и сравнительно большую интегральную светочувствительность. Однако эти материалы по тем или иным причинам не удается использовать для изготовления электрофотографических бумаг. [9]

Условия осаждения нелегированных пленок a - Si: Н оказывают существенное влияние не только на темновое удельное сопротивление, но и на фотопроводимость. Согласно результатам анализа фотопроводимости, существуют различные механизмы рекомбинации носителей. Зависимость удельной фотопроводимости ор от интенсивности излучения Н имеет вид ор со Hvy где у - постоянная величина. [10]

Блок-схема измерительного устройства. [11]

Из полученных монокристаллических пластинок были изготовлены преобразователи на обедненном слое для продольных и поперечных колебаний из материала с темновым удельным сопротивлением 10 1 - 104 ом-см. [12]

Ом-см, величина которого зависит от условий роста. Ом - см. Кейнтла [46] изучал влияние отжига, осуществляемого в различных атмосферах, на свойства пленок и установил, что наличие О2 приводит к увеличению их темнового удельного сопротивления. Максимум спектральной чувствительности пленок соответствует длине волны 0 7 мкм ( см. рис. 3.9), что указывает на собственный характер фотопроводимости. Показано [46], что введение легирующих примесей Li и Си приводит к увеличению отношения фотопроводимости к темновой проводимости пленок. При наличии примесей Си и Ag спектральный диапазон чувствительности расширяется в длинноволновую область. [13]

Это аморфный порошок лимонно-оранжевого цвета, который изготовляется сплавлением кадмия или его окиси с серой или нагреванием солей кадмия с безводным тиосульфитом натрия. Сернистый кадмий обладает высокой светочувствительностью в видимой части спектра при максимуме спектральной чувствительности 510 ммк. Напомним, что максимум спектральной чувствительности несенсибилизированной окиси цинка лежит в области 350 ммк. Правда, темновое удельное сопротивление сернистого кадмия невысоко ( 103 - 10s ом. Однако оно может быть увеличено путем термической обработки этого полупроводника. [14]

Устройство видикона. [15]

Страницы: 1 2