Cтраница 3
![]() |
Тонкопленочный транзистор. [31] |
В полупроводниковых интегральных микросхемах используется монокристалл кремния, в котором путем введения примесей, окисления или металлизации определенных областей, а также использования фотолитографии получают необходимые электрические параметры. Каждый элемент такой схемы образует в монокристалле своеобразный островок, изолированный от других элементов. Два противоположно направленных р-га-перехода, каждый из которых соединен с одним элементом схемы, обеспечивают довольно большое сопротивление изоляции. [32]
Керамические конденсаторы по качеству несколько уступают воздушным конденсаторам, но зато они дешевы и имеют малые размеры. Диэлектриком в них служит специальная керамика, обладающая малыми потерями при высоких частотах. Обкладки керамических конденсаторов в виде тонкого слоя серебра наносятся на поверхность керамики и покрываются цветной эмалью. Эти конденсаторы изготовляются на емкости от единиц до тысяч пикофарад и на рабочие напряжения в сотни вольт. Они имеют довольно высокую стабильность, малые потери и большое сопротивление изоляции. Выпускаются конденсаторы различной формы: дисковые, трубчатые и другие. [33]
Вариометры изготовляют из двух индуктивно связанных катушек. Меняя плавно взаимное расположение этих катушек, можно изменять коэффициент взаимной индуктивности. Катушки вариометра можно соединять последовательно или параллельно, что позволяет плавно менять общую индуктивность вариометра в зависимости от угла поворота одной катушки относительно другой. Угол поворота отсчитывается по шкале, а значения индуктивности и взаимной индуктивности определяют по градуировочным таблицам. Меры электрической емкости изготовляют в виде образцовых измерительных конденсаторов постоянной емкости, магазинов емкостей и конденсаторов переменной емкости. В образцовых конденсаторах постоянной емкости диэлектриком является воздух или слюда. Такие воздушные и слюдяные конденсаторы имеют большое сопротивление изоляции и малые потери в диэлектрике; их емкость не зависит от частоты и формы приложенного напряжения, а зависимость от температуры - минимальна. [34]