Cтраница 5
Усилительное действие транзистора основано на том, что энергия носителей тока, попадающих в сильное поле коллекторного перехода, созданного источником питания коллекторной цепи, возрастает по сравнению с энергией, затраченной в эмит-терном переходе на снижение барьера. Через эмиттерный и коллекторный переходы протекает один и тот же ток, переносимый дырками, инъектированными из области р эмиттерного перехода. В цепь коллекторного пе рехода, представляющего собой большое сопротивление, может быть включено большое сопротивление нагрузки RK, падение напряжения на котором, пропорциональное тому же току эмиттера, будет в сотни и тысячи раз превышать, напряжение, прикладываемое к эмиттеру, следовательно, во столько же раз будет усилена в цепи коллектора мощность тока, подводимого к эмиттеру. Подавая слабый переменный сигнал в цепь эмиттера ( на вход транзистора), в цепи коллектора ( на выходе транзистора) получим усиленный сигнал. [61]
![]() |
Структурная схема устройства. [62] |
Если же процесс квазистационарный, то следует проводить серию измерений, чередуя измерения с одним значением сопротивления нагрузки с измерениями с другим значением сопротивления. Для повышения точности измерения целесообразно проводить таким образом, чтобы прошедшие за время измерения электрические заряды Q были одинаковы при обоих сопротивлениях нагрузки. Так как сопротивления нагрузки должны отличаться значительно, то для обеспечения этого условия измерение при большом сопротивлении нагрузки будет занимать больший промежуток времени t2, чем при малом сопротивлении нагрузки tu из-за того, что триботок меньше термотока. [63]
![]() |
Включение транзистора схеме с общей базой. [64] |
Действительно, чтобы инжектировать в базу носители, требуется произвести относительно небольшую работу, так как высота потенциального барьера эмиттерного перехода невелика. Дойдя до коллекторного перехода, носители попадают в ускоряющее поле. В коллекторном переходе существует значительная разность потенциалов, следовательно, ток, по величине равный эмиттерному, может пройти через большое сопротивление нагрузки. [65]