Соответствующее сопротивление

Cтраница 1

Соответствующие сопротивления во всех фазах одинаковы. Активное сопротивление равно 6 0 Ом, индуктивное равно 4 0 Ом, емкостное - 12 Ом. [1]

Соответствующее сопротивление подсчитывают по скорости воды в трубе. [2]

Величины соответствующих сопротивлений указаны на рисунке. [3]

Структурная схема установки для измерений мостовым методом на частотах 1 - 200 МГц.| Структурная схема для яз. [4]

Измерение соответствующих сопротивлений цепи с образцом производят мостовым или резонансным методом. Особенностью этих схем является наличие общей точки генератора и индикатора, что упрощает электростатическое экранирование и симметрирование, которые на высоких частотах имеют очень большое значение. [5]

Принципиальная схема и условия равновесия одинарного Т - образного моста.| Структурная схема для измерения высокочастотного магнитного поля.| Структурная схема измерений мостовым методом на частотах. [6]

Измерение соответствующих сопротивлений цепи с образцом производят мостовым или резонансным методом. [7]

Регулировкой соответствующего сопротивления Rj - R7 можно устанавливать на сетке триода напряжение сигнала с фотодатчика, соответствующее порогу срабатывания триггера, при различных положениях луча на фотосопротивлении. Датчик настраивают так, чтобы от сигнала на границе двух фотосопротивлений одновременно срабатывали оба триггера с определенным перекрытием, соответствующим нескольким десятым долям микрона. При автоматической работе для исключения ложного сигнала с соседних фотосопротивлений, возникшего во время смены деталей, напряжение на фотосопротивления подается на 0 01 - 0 02 сек после успокоения подвижной системы датчика при помощи командо-аппарата KAV Во время наладки цепь фотосопротивлений включена непрерывно через контакты реле наладки РН. [8]

Принципиальная электрическая схема малогабаритных многоточечных уравновешенных мостов КСМ2. [9]

Кл аналогично назначению соответствующих сопротивлений, рассмотренных в гл. [10]

Электрическая схема установки для измерения электрической проводимости. [11]

CD достигается подбором соответствующего сопротивления RM и передвижного контакта С по реохорду АВ. [12]

RB и R6 - соответствующие сопротивления слоев эмиттера и базы транзистора), в которой усилительные свойства транзистора представлены источником тока Р / В. [13]

Так как в данной задаче соответствующие сопротивления всех фаз одинаковы ( симметричная нагрузка), достаточно произвести вычисления для одной фазы. [14]

К задаче 2 - 11. а - исходная. б - замещения прямой и обратной. в - нулевой последовательности. [15]

Страницы: 1 2 3 4