Входное сопротивление - схема
Cтраница 3
XQ - входные сопротивления схемы относительно точки короткого замыкания по прямой и нулевой последовательностям. [31]
Для определения входного Сопротивления схемы по отношению к зажимам с напряжением 01 ( рис. 9 - 26, а) можно пользоваться формулой ( 4 - 32), применяя ее к графу, показанному на рис. 9 - 26, в. [32]
На величину входного сопротивления схемы существенное влияние оказывает способ регулировки контактов преобразователя и величина входной емкости первого каскада. [33]
 |
Цепи отпирания диодных тиристоров. [34] |
Диод Д увеличивает входное сопротивление схемы. [35]
Резистор R1 увеличивает входное сопротивление схемы таким образом, что во всех случаях оно остается больше чем 0 5 МОм. Частотно-зависимая обратная связь в усилителе, которая будет описана далее, также определяет частотную зависимость входного сопротивления усилителя. Оно изменяется в зависимости от установки органов управления, включенных в цепи отрицательной обратной связи. [36]
При оценке влияния входного сопротивления схемы на предыдущий каскад следует знать входные токи схемы. При t / BX С / ор в схеме рис. 4.26 небольшой входной ток является втекающим, обратным для входного p - n - перехода многоэмиттерного транзистора. При ывх Ulmp этот ток течет из входной цепи микросхемы. [37]
 |
Дифференциальный усилитель.| Построение схем смещения с температурной стабилизацией, обеспечиваемой идентичностью параметров элементов. [38] |
TI и Т увеличивают входное сопротивление схемы и стабилизируют усилительные свойства. При таком включении не нарушается схема балансного смещения. Входной транзистор Ту и транзистор Tt образуют каскодную схему, в которой Т % работает при малом коллекторном напряжении. Это позволяет использовать в качестве транзистора TZ низковольтный транзистор с большим коэффициентом усиления. Благодаря малому коллекторному току транзистора Тз входное сопротивление его велико, а уровень собственных шумов мал. Изготовление таких резисторов осуществляется за счет использования сопротивления материала базового слоя между эмиттерным и коллекторным переходами. Изменение падения напряжения на резисторах Rt и R2 под действием изменения базовых токов не вызывает заметного изменения режимов транзисторов TI и Т2 из-за малых значений токов базы. [39]
Это возможно, если входное сопротивление схемы Z R / ( шL - 1 / шС) будет чисто активным. [40]
Эта емкость вместе с входным сопротивлением последующей схемы образует дифференцирующую цепь. [42]
Из формулы (2.4) следует, что входное сопротивление схемы будет чисто активным, если произведение Zx Z2 будет представлять собой действительное число. [43]
Сопротивление Rc ограничивает сеточный ток и увеличивает входное сопротивление схемы для источника импульсов, опти-рающих тиратрон. [44]
 |
Схема измерения амплитудной характеристики и дрейфа нуля усилителя. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5