Cтраница 3
Для уменьшения ( влияния паразитных параметров на входное сопротивление детектора, последний часто выполняется в виде выносного пробника, благодаря чему длина проводов существенно уменьшается. [31]
Следует указать, что кроме активной составляющей входное сопротивление детектора содержит емкость, но ее обычно принято относить к емкости колебательного контура предыдущего каскада. [32]
При этом считается, как было принято в § 2.5, входное сопротивление детектора равным входному сопротивлению каскада УПЧ. [33]
![]() |
Частотная характеристика ЧМ детектора. [34] |
Поэтому фактическая величина сопротивления нагрузки уменьшается, а значит, уменьшается и входное сопротивление детектора. [35]
Относительно малое обратное сопротивление существующих кристаллов не позволяет в ряде случаев обеспечить необходимое входное сопротивление детектора, определяемое выражением (10.2) при приемлемом сопротивлении нагрузки. Поэтому при расчете кристаллических детекторов предварительно задаются сопротивлением нагрузки в пределах RH - 200 - r - SOO ком. Затем по формуле (10.5) определяют входное сопротивление детектора. Если полученное входное сопротивление окажется меньше минимально допустимого, определяемого выражением (10.2), то целесообразно применить автотрансформаторное включение детектора к контуру. [36]
![]() |
Упрощенная мостовая схема резонансного каскада.| Схема оконечного каскада УНЧ радиоприемника Сюрприз. [37] |
Величина связи выбирается такой, чтобы были согласованы выходное сопротивление транзистора VT3 и входное сопротивление детектора. Это необходимо для передачи на детектор наибольшего возможного значения сигнала, чтобы обеспечить при небольшом усилении тракта УПЧ, выполненного всего на двух транзисторах, заданной чувствительности приемника. [38]
![]() |
Принципиальная схема амплитудного диодного детектора. [39] |
Отличительной особенностью работы детекторного каскада в - схемах на полупроводниковых приборах является зависимость входного сопротивления детектора и коэффициента нелинейных искажений от сопротивления нагрузки для постоянного и переменного токов. [40]
Входное сопротивление детектора, выполненного на германиевом диоде, оказывается заметно меньше, чем входное сопротивление детектора на кремниевом диоде, у которого обратное дифференциальное сопротивление на порядок выше, чем у германиевого. [41]
Формулы ( 132) и ( 133) очень удобны: они позволяют быстро определить входное сопротивление детектора, если известно сопротивление нагрузки. [42]
![]() |
Разновидности схем импульсных детекторов.| Форма напряжения на нагрузке детектора при импульсных сигналах на входе. [43] |
При детектировании в пиковом детекторе последовательности импульсов с высокой скважностью для повышения коэффициента передачи и входного сопротивления детектора необходимо существенно увеличивать сопротивление нагрузки, роль которого обычно выполняет обратное сопротивление диода. Это обстоятельство необходимо учитывать при выборе типа полупроводникового диода для пикового детектора. [44]
Электрические свойства детектора принято оценивать следующими основными показателями: формой детекторной характеристику коэффициентом передачи напряжения, величиной искажений, входным сопротивлением детектора и коэффициентом фильтрации высокочастотного напряжения. [45]