Очень высокое входное сопротивление

Cтраница 1

Схема И-ИЛИ-НЕ ( И-ИЛИ на МОП-транзисторах. [1]

Очень высокое входное сопротивление МОП-транзисторов, являясь несомненно их преимуществом, вместе с тем вызывает ряд трудностей при работе с ними. Напряжение пробоя изоляционного слоя окисла между затвором и каналом обычно лежит в диапазоне 30 - 50 в. Если на затвор МОП-транзистора попадает более высокое напряжение, то происходит пробой изоляции и транзистор выходит из строя. Поскольку сопротивление затвор - канал может достигать, как было указано, 1012 - 1014 ом, то даже если источник напряжения отделен от затвора МОП-транзистора изоляцией с сопротивлением 10е - 1010 ом, практически все напряжение источника будет приложено к затвору. [2]

Очень высокое входное сопротивление МДП-транзисторов позволяет создавать особый класс схем, называемых динамическими. Для них характерно кратковременное запоминание информации с помощью конденсаторов, в качестве которых обычно используются емкости самих транзисторов. Применяют транзисторы только с индуцированными каналами, чаще только одного n - типа, хотя возможно использование и комплементарных структур. [3]

Благодаря очень высокому входному сопротивлению МОП-транзистор позволяет выполнить схемы с высокой нагрузочной способностью. Ограничивающим фактором является суммарная входная емкость последующих элементов, ограничивающая время переключения предыдущего элемента. [4]

Зависимость заряда помехи у различных ПТ-ключей от напряжения. [5]

У МОП-транзистора очень высокое входное сопротивление и умеренное напряжение пробоя; из-за этого он легко может быть поврежден статическим электричеством. Обычно это выглядит так: вы берете в руку МОП-транзистор или содержащее его устройство, подходите к схеме, втыкаете устройство на место и затем, включив питание, убеждаетесь, что МОП-транзистор мертв. [6]

Для полевых транзисторов характерны очень высокое входное сопротивление, малые шумы и быстродействие. [7]

Благодаря этому МДП-транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление и в статическом состоянии практически не потребляют энергии по входной цепи. [8]

Схема линейного анодного детектора.| Характеристики выпрямления катодного детектора. На кривых указано эффективное значение входного напряжения, б. [9]

Преимуществами катодного детектора являются очень высокое входное сопротивление, более слабые, чем у анодного детектора, искажения и менее заметное ограничение отрицательных полуволн выходного сигнала, чем у диодного детектора. Недостатками катодного детектора являются малая величина коэффициента передачи ( / Сд с 1) и большая, чем у диодного детектора, величина нелинейных искажений. [10]

Показания электронного вольтметра с очень высоким входным сопротивлением, включенного параллельно конденсатору, при резонансе пропорциональны добротности контура. [11]

Показания электронного вольтметра с очень высоким входным сопротивлением, включенного параллельно конденсатору, при резонансе пропорциональны добротности контура. [12]

Лабораторный рН - метр с очень высоким входным сопротивлением ( более 1 1010 ом) выпускает ЦНИИТЭНЕФТЬ. [13]

Полевые транзисторы используют при необходимости получения очень высокого входного сопротивления каскада ( выше десятков килоом) или для обеспечения наименьшего уровня собственных шумов каскада. [14]

Полевой транзистор с PN.| Вольт-амперные характеристики полевого транзистора с РЛГ-переходом.| Характеристика передачи полевого транзистора с изолированным затвором. [15]

Страницы: 1 2 3 4