Cтраница 1
Выходное сопротивление эмиттерного повторителя определяется сопротивлением г. л эмиттерного перехода транзистора, а также сопротивлением базы лб и внутренним сопротивлением источника входного сигнала R. Поскольку при изменении тока нагрузки на величину А / входной ток изменяется на величину А / / ( 1 Р), то влияние сопротивления базы и внутреннего сопротивления генератора на изменение выходного напряжения будет в 1 Р раз более слабым по сравнению с влиянием сопротивления гя. [1]
Выходное сопротивление эмиттерного повторителя дает представление о величине нагрузки, которую можно подключить к выходу каскада, не перегружая его. [2]
![]() |
Эквивалентные схемы выходного сопротивления эмиттерного повторителя при активно-емкостном сопротивлении в цепи. [3] |
Выходное сопротивление эмиттерного повторителя может быть использовано в качестве индуктивного компонента при проектировании интегральных полупроводниковых резонансных усилителей. [4]
Выходное сопротивление эмиттерного повторителя, как и входное, является одним из основных параметров каскада. Оно в большой мере зависит от характера сопротивления источника входного напряжения. [5]
Выходное сопротивление эмиттерного повторителя определяется совокупностью параллельно включенных сопротивлений резистора R3 и выходного сопротивления собственно транзистора в схеме ОК. [6]
![]() |
Схема эмиттерного повторителя для расчета выходного сопротивления ( а и схема. [7] |
Для расчета выходного сопротивления эмиттерного повторителя нужно в схеме, приведенной на рис. 18.3 б, поменять вход и выход местами. Для этого нужно исключить источник входного напряжения, оставив его внутреннее сопротивление RH, а в эмиттерную цепь включить источник тока / вх, как показано на рис. 18.4 а. [8]
От чего зависит выходное сопротивление эмиттерного повторителя. [9]
![]() |
Схема эмиттерного повторителя.| Эквивалентная схема эмиттерного повторителя для низких частот. [10] |
На высоких частотах выходное сопротивление эмиттерного повторителя образует LC-контур. При работе на активную нагрузку потери в этом контуре оказываются сравнительно высокими и переходные процессы носят апериодический характер. При подключении емкостной нагрузки добротность контура повышается. [11]
Таким образом, выходное сопротивление эмиттерного повторителя зависит от внутреннего сопротивления источника сигнала. При малом сопротивлении источника сигнала и большом коэффициенте усиления тока транзистора выходное сопротивление эмиттерного повторителя стремится к гэ и составляет всего несколько десятков ом. [12]
Из-за индуктивного характера выходного сопротивления эмиттерных повторителей непосредственная работа их друг на друга, как правило, приводит к генерации. [13]
Из приведенного рассмотрения следует, что выходное сопротивление эмиттерного повторителя значительно ниже его входного сопротивления. [14]
Заряд конденсатора С0 происходит не через выходное сопротивление эмиттерного повторителя гвых 2, а через резистор К3 с большим сопротивлением. В этом случае 0 ЗСу.э. Время восстановления схемы резко увеличивается, а ее быстродействие снижается. Возможность появления указанных процессов является недостатком рассматриваемой схемы. Напряжение Еэ отпирает эмиттерный переход транзистора Т2, в результате чего устраняются задержка выходного напряжения при формировании прямого хода сигнала и увеличение постоянной времени заряда в процессе восстановления. [15]