Выходное сопротивление - схема
Cтраница 4
Входные каскады служат для согласования выходного сопротивления схемы включения преобразователя с входным сопротивлением усилителя, предварительного усиления мощного сигнала и для увеличения его отношения к помехе. [46]
При этом входное сопротивление усилителя и выходное сопротивление схемы для достижения максимальной чувствительности должны быть согласованы между собой, а в тех случаях, когда усилитель не имеет встроенного показывающего прибора на выходе, при выборе прибора также необходимо иметь согласованными выходное сопротивление усилителя и сопротивление прибора. [47]
Включение амперметра, измеряющего ток нагрузки, между выходом регулирующего транзистора и цепью обратной связи характерно для любого стабилизатора. В противном случае ( если включить прибор после цепи обратной связи) сопротивление амперметра непосредственно складывается с выходным сопротивлением схемы и существенно увеличивает его. [48]
 |
Элемент И - НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ. [49] |
Транзистор Tt выполняет роль переменного резистора. При закрытых транзисторах Т2 и Т3 транзистор Tt полностью открывается ( потенциал его базы возрастает), что уменьшает выходное сопротивление схемы. При открытых транзисторах Г2 и Тя транзистор Т4 закрывается, увеличивая сопротивление в цепи коллектора Т3 и предохраняя источник питания от перегрузки. Диод выполняет роль сопротивления для создания смещения транзистора Tt и улучшения помехозащищенности схемы. [50]
 |
Элемент И-ИЛИ-НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ ( а и его условное обозначение ( б. [51] |
Транзистор VT4 выполняет роль переменного резистора. При закрытых транзисторах VT % и VT3 транзистор VT полностью открывается ( потенциал его базы возрастает), что уменьшает выходное сопротивление схемы. При открытых транзисторах VT2 и VT3 транзистор УГ4 закрывается, увеличивая сопротивление в цепи коллектора VT3 и предохра - - няя источник питания от перегрузки. Диод выполняет роль сопротивления для создания смещения транзистора VT4 и улучшения помехозащищенности схемы. [52]
Необходимо задавать два типа начальных допусков на сопротивления: допуск на каждый отдельный резистор, который определяет вес в выходе соответствующего разряда на входе, и допуск на выходное сопротивление схемы. [53]
В схеме с общей базой положительное приращение напряжения на входе Л ( / вх вызывает увеличение тока эмиттера / э, что приводит к увеличению как тока коллектора / к, так и напряжения выхода At / вых, причем Ai / вых At / вх - В схеме с ОБ источник входного напряжения включен в цепь эмиттер - база, а нагрузка и источник питания - в цепь коллектор - база. Входное сопротивление схемы с ОБ мало ( несколько омов или десятков омов), так как эмиттерный переход включен в прямом направлении. Выходное сопротивление схемы, наоборот, велико ( сотни килоомов), так как коллекторный переход включен в обратном направлении. Малое входное сопротивление схемы с ОБ является существенным недостатком, ограничивающим применение ее в усилителях. Усиление по напряжению и мощности в этой схеме может достигать нескольких сотен. [54]
Входное сопротивление схемы с ОЭ больше, чем у схемы с ОБ, так как входным током в ней является ток базы, который много меньше тока эмиттера и тока коллектора. Это сопротивление составляет сотни омов. Выходное сопротивление схемы с ОЭ велико и может составлять до ста килоомов. А / к / А / б при UK const, и может иметь значения р 104 - 200 для различных транзисторов. [55]
Выходное сопротивление схемы в процессе работы не остается неизменным: когда транзистор VT открыт, это сопротивление мало; в закрытом состоянии транзистора выходное. Поэтому рассмотренный выше вариант схемы ДТЛ в основном применяется при гибридной технологии изготовления, когда необходимо использовать минимальное количество транзисторов. Выходное сопротивление схемы при этом мало и, следовательно, подключение к выходу данной микросхемы нескольких аналогичных микросхем практически бе оказывает шунтирующего действия на выходное сопротивление схемы и почти не влияет на режим ее работы. [56]
 |
Схема ЭСЛ элемента с повышенной нагрузочной способностью.| Схема ЭСЛ элемента с высоким быстродействием.| Инжекционный транзистор. а - структура. б - схема. [57] |
В основном варианте элемента, приведенном на схеме рис. 7.40, а, цепь сигнала проходит через каскады с общим коллектором ( эмиттерные повторители) и каскады с общей базой. При таком включении транзисторный каскад обладает наибольшим быстродействием. Поскольку выходное сопротивление схемы мало, а входное - высоко, то паразитные емкости и емкость нагрузки мало влияют на работу схемы. Благодаря возможности получить выходное сопротивление 500 Ом элемент может работать на кабель или полосковую линию с характеристическим сопротивлением 50 Ом и выше. Отражения от неоднородности передающей линии благодаря малому выходному сопротивлению инвертируются, и тем самым уменьшается их вредное воздействие. [58]
 |
Схема мультивибратора с двумя парами транзисторов различ - па приводимости ( п-р - п и. [59] |
В открытом состоянии находятся одновременно два из четырех транзисторов: транзисторы Т и Г4 или транзисторы Ту. Малое время переходных процессов, происходящих на коллекторах транзисторов, обеспечивается разрядом конденсаторов связи в процессе регенерации через малые сопротивления открытых транзисторов, образующих разрядную цепь. Это и обусловливает малые величины выходных сопротивлений схемы и позволяет присоединять к ее выходу несколько схем с небольшими входными сопротивлениями, не вызывая существенного изменения формы сигналов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5