Выходное сопротивление - транзистор
Cтраница 2
Кныл - выходное сопротивление транзистора на fnp, ком. [16]
Для выравнивания выходных сопротивлений транзисторов в рабочий период используется отрицательная обратная связь по переменному напряжению. Конденсаторы Ci и С2 являются развязкой по постоянному току. Катушки индуктивностей L, L2 шунтируют резисторы RI и з, уменьшая сопротивление база - эмиттер транзисторов по постоянному току. Благодаря этому резко уменьшается влияние обратного тока коллектора на режим работы транзисторов. Сопротивление катушек индуктивности по переменному току выбирается достаточно большим, чтобы отрицательная обратная связь в каскаде не была частотнозависимой. [17]
Для согласования выходного сопротивления транзистора Т2 со входным сопротивлением фильтра ( ПКФ) служит коптхр L - taCw с полосой пропускания 20 - 25 кгц. [18]
Для согласования выходного сопротивления транзистора 7 с входным сопротивлением ПКФ применен контур ( L C Rn с полосой пропускания 20 - 25 кгц на уровне - 6 дб. [19]
Для согласования выходного сопротивления транзистора Т2 со входным сопротивлением фильтра ( ПКФ) служит контур 12зС28 с полосой пропускания 20 - 25 кгц. [20]
Для согласования выходного сопротивления транзистора 7 % с входным сопротивлением ПКФ применен контур ( L CsiRtj) с полосой пропускания 20 - 25 кгц на уровне - 6 дб. [21]
Для согласования выходного сопротивления транзистора Г2 со входным сопротивлением фильтра ( ПКФ) служит контур LzaC s с полосой пропускания 20 - 25 кгц. [22]
 |
Режимы работы по постоянному току транзисторов. [23] |
Для согласования выходного сопротивления транзистора Tt с входным сопротивлением ПКФ применен контур ( LisCwRn) с полосой пропускания 20 - 25 кгц на уровне - 6 дб. [24]
Для согласования выходного сопротивления транзистора УПЧ с входным сопротивлением коллекторные контуры трансформаторов Tpl - 1р4 имеют неполное включение. [25]
В оконечных каскадах выходное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером при достаточно полном использовании транзистора по мощности практически всегда значительно больше пересчитанного сопротивления нагрузки. Сопротивление нагрузки пересчитывается в одну половину первичной обмотки. [26]
 |
Схема замещения транзистора с ОЭ по переменной составляющей. [27] |
IB const - динамическое выходное сопротивление транзистора с ОЭ, обусловленное наклоном пологого участка выходных характеристик. [28]
В действительности значение выходного сопротивления транзистора в области насыщения является сложной функцией как тока базы, так и тока коллектора. Кроме того, при изменении числа параллельно включенных транзисторов изменяются не только токи их электродов, но и коэффициенты усиления по току. Проведенные эксперименты с кремниевыми пленарными транзисторами показали, что у некоторых типов мощных транзисторов выходное сопротивление в области насыщения мало зависит от тока базы и поэтому имеется возможность реализовать оптимальную или близкую к оптимальной интегральную конструкцию и уменьшить поверхность теплоотвода в 4 - 5 раз по сравнению с поверхностью, необходимой для одного транзистора. [29]
Контур обеспечивает согласование выходного сопротивления транзистора Т с низким выходным сопротивлением пьезохерамического фильтра ( ПКФ) типа ПФ1П - 2, являющегося основным избирательным элементом по соседн му каналу. Связь контура с ПКФ индуктивная. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5