Минимальное сопротивление

Cтраница 3

Для получения минимальных сопротивлений в вентиле при принятой конфигурации корпуса нео ходимо, чтобы подъем золотника не сужал прохода. [31]

Для получения минимального сопротивления базы подложку низкоомного кремния выбирают с большой концентрацией доноров. Между низкоомной подложкой и высокоомным эпитак-сиальным слоем, выращенным на подложке, возникает потенциальный барьер для неосновных носителей - дырок, инжектированных через р-п-переход при его прямом включении. Таким образом, омический переход между подложкой и эпитаксиаль-ным слоем ( рис. 3.50) также выполняет роль ограничителя области накопления неосновных носителей заряда в базе диода с резким восстановлением обратного сопротивления. [32]

Медный термометр сопротивления типа ЭТМ-Х. [33]

При выборе минимального сопротивления термометра стремятся к снижению погрешности измерения, вызываемой изменением сопротивления соединительных проводов из-за нестабильности температуры окружающей среды. Поэтому сопротивление термометра при 0 С выбирается не ниже 40 ом. Иметь слишком высокое сопротивление также нежелательно, так как оно вызывает уменьшение диаметра проволоки, перегрев и снижение механической прочности термометра. Поэтому сопротивление термометра при 0 С обычно не должно превышать 100 ом. [34]

Фактическая величина минимального сопротивления балласта в отдельных случаях может быть ниже указанного сопротивления балласта. [35]

Для получения минимального сопротивления базы подложку низкоомного кремния выбирают с большой концентрацией доноров. Между низкоомной подложкой и высокоомным эпитак-сиальным слоем, выращенным на подложке, возникает потенциальный барьер для неосновных носителей - дырок, инжектированных через р-л-переход при его прямом включении. Таким образом, омический переход между подложкой и эпитаксиаль-ным слоем ( рис. 3.50) также выполняет роль ограничителя области накопления неосновных носителей заряда в базе диода с резким восстановлением обратного сопротивления. [36]

Данные мощного выходного трансформатора на 200 ST. [37]

Сопротивление изоляции: Минимальное сопротивление между обмотками и между каждой обмоткой и сердечником при постоянном напряжении 500 в равно 10 Гсм. [38]

Передаточные характеристики логарифмических усилителей. [39]

Если необходимо обеспечить минимальное сопротивление, подключаемое к выходу ОУ со стороны цепи ОС, то целесообразно применить третью структуру ЛУ. Однако в этом случае из-за использования резисторного делителя в цепи коллектора транзистора дополнительным источником ошибки логарифмирования может стать изменение коллекторно-базового напряжения. [40]

При расчете на минимальное сопротивление смятию по методике АНИ принимается, что колонна опорожнена до забоя. Делаются поправки на двухосное напряженное состояние, хотя плавучестью колонны пренебрегают. Упрочнение колонны цементным камнем также не учитывают. [41]

Определить, какое минимальное сопротивление R обеспечивает нормальное функционирование мультивибратора, если пороговое напряжение С / пор 1 4 В; С С2 10 8 Ф; Лвых. [42]

Допустим, что минимальное сопротивление нагрузки равно 1 ком и требуется переключить транзистор из полностью закрытого в полностью открытое состояние. Нагрузочная прямая для этого случая показана на фиг. [43]

Схемы к примеру 2. [44]

Критическое сопротивление представляет собой минимальное сопротивление внешней цепи, при к. [45]

Страницы: 1 2 3 4