Коллекторное сопротивление

Cтраница 2

Следовательно, тип коллекторного сопротивления Л 4 ком выбирается с допустимой мощностью рассеивания до 100 мет. [16]

Чувствительность в разных точках и спектральная чувствительность фотодиода р-п ( типа ТР50.| Сплавной плоскостной транзистор.| Конструкция и характеристика фотодиода ( типа ТР50. [17]

Усиление напряжения вследствие большого коллекторного сопротивления получается весьма большим, так что у современных плоскостных транзисторов обычно достигается. [18]

Кривые пробивных напряжений ( а. [19]

Оно отличается от коллекторного сопротивления гк, которое, как указывалось, является эквивалентом, с помощью которого учитывается влияние на переменную составляющую коллекторного тока модуляции базы. [20]

Ек подключают к коллекторным сопротивлениям RK каскада через переменное сопротивление Rn. В этих каскадах практически отсутствует дрейф, а коэффициент усиления значительно выше, чем в однотактных усилителях. [21]

Дифференциальный усилитель с кас-годной схемой. [22]

Чтобы при таком малом коллекторном сопротивлении можно было обеспечить заданный коэффициент усиления по напряжению, необходима высокая крутизна, т.е. большой коллекторный ток. Его предельное значение определяется рассеиваемой мощностью транзисторов и снижением частоты / т - при увеличении коллекторного тока. [23]

Исключение составляют транзисторы с большим последовательным коллекторным сопротивлением. Однако обычно это высоковольтные транзисторы, для которых характерны высокие значения напряжения питания Ек, так что, по существу, это допущение сохраняет силу. [24]

Дифференциальный усилитель с инвертором. [25]

Другой способ состоит в повышении полного коллекторного сопротивления вблизи граничной частоты, что можно осуществить, включив последовательно с коллекторным сопротивлением соответствующую индуктивность. Этот метод называется L-коррекцией. [26]

Ячейка РТЛ1 с регулируемой величиной коллекторного сопротивления.| Ячейка РТЛ1 с двухступенчатым построением. [27]

Первый прием состоит в автоматическом изменении коллекторного сопротивления при изменении числа транзисторов с параллельно включенными базами. KK распределяется между максимальным числом параллельных входов, а при п1 целиком поступает в базу одного транзистора. [28]

Основная задача сопротивления нагрузки, включенной параллельно коллекторному сопротивлению схемы и отрицательных сигналов, состоит в том, чтобы обеспечить ток для разряда емкостной нагрузки коллектора за требуемое время. Основная часть тока, протекающего через коллектор открытого транзистора, используется для управления диодными схемами и отрицательных сигналов. [29]

Вследствие того, что емкости заряжаются через коллекторное сопротивление и время их заряда определяет длительность фронта импульса мультивибратора, величина сопротивления должна быть достаточно малой. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5