Исходное сопротивление

Cтраница 4

Кривая кондуктоме-трического титрования смеси сильной и слабой кислот. [46]

Кондуктометры работают по схеме моста Кольрауша. Нуль-инструментом служит оптический глазок. Измеряют исходное сопротивление раствора. При добавлении первых 5 - 6 порций щелочи сопротивление раствора растет. После нейтрализации всей сильной кислоты добавление новых порций щелочи ведет к падению сопротивления раствора. Наиболее резко сопротивление будет падать при добавлении двух-трех последних порций щелочи. [47]

Регулирование теплозащитных свойств ограждения возможно также путем изменения лучистой и конвективной составляющих теплового потока на его внутренней поверхности. В первом случае необходимый эффект достигается облучением конструкции потоком требуемой интенсивности, например, с помощью горелок инфракрасного излучения. При этом исходное сопротивление теплопередаче конструкции может быть принято намного меньше требуемого, что существенно снижает капитальные затраты. Такое решение экономически оправданно для зданий сезонного действия. Во втором случае регулирование конвективного теплового потока на внутренней поверхности обеспечивается с помощью тепловоздушных завес в виде плоских полуограниченных струй. [48]

Таким образом, в случае измерения циклических деформаций в зоне выраженной концентрации нагружении при стационарном нагружении, когда характер нагружения оказывается близким к жесткому, расчет по величинам деформаций в цикле с учетом изменения с числом циклов нагружения исходного сопротивления тензорезистора по уравнениям (3.2.1) позволяет внести поправку в данные тензометрирования с целью определения действительной истории нагружения элемента конструкции. Одновременно свойство тензорезисторов увеличивать исходное сопротивление при малоцикловом нагружении используется для оценки накопления усталостных повреждений. Величиной прироста исходного сопротивления тензорезисторов, устанавливаемых в зонах концентрации, определяется степень исчерпания ресурса изделий. Вместе с тем интегральная оценка прироста сопротивления тензорезистора не позволяет выполнять покомпонентную оценку накопления усталостных и квазистатических малоцикловых повреждений, что существенно для расчета прочности, и требуется разработка и экспериментальное обоснование указанной процедуры. [49]

Более стабильными свойствами обладают проволочные тензо-датчики, представляющие собой тонкую ( диаметром 5 - 50 мкм) проволоку из константана или элинвара, изогнутую в виде гармошки и наклеенную на тонкий лист бумаги. Размер /, называемый базой датчика, составляет 15 - - 20 мм. Константансвые датчики имеют чувствительность г ] 2 1; исходное сопротивление порядка нескольких сотен Ом. Они используются для измерения статических нагрузок. [50]

Структуры однопереходного магнитотранзистора.| Структура двухпереходного магнитотранзистора ( а и его схема. [51]

Для упрощения технологии изготовления область S создают на всей поверхности противоположной от эмиттера. На рис. 2.14, б в качестве верхнего контакта с базой применяется р-п-переход, включенный в прямом направлении. Инжектированные этим p - n - переходом носители уменьшают исходное сопротивление нижней части базы. [52]

На рис. 6.2.3 показаны результаты тензометрирования в указанных условиях деформирования. Расчетная кривая 1 и экспериментальные точки соответствуют друг другу достаточно хорошо. Вычитание из данных тензометрирования сигнала, связанного с увеличением исходного сопротивления тензорезистора в процессе малоциклового нагружения, позволяет установить действительную историю деформирования деталей ( рис. 6.2.3, кривая 2) и при нагружении, сопровождающемся накоплением односторонних деформаций. [53]

Тензометрические датчики. [54]

Тензолитовый датчик ( рис. II.4, а) представляет собой тензоли-товую пластинку или стержень длиной / около 15 мм и диаметром 1 мы с медными выводами, наклеенный на полоску тонкой бумаги. Тензолит - это масса из угольного или графитового порошка или сажи и связующего изоляционного материала, в качестве которого широко используется бакелитовый лак. При растяжении датчика возрастает его электрическое сопротивление и меняется ток в цепи датчика. Сдавливающие усилия приводят к уменьшению сопротивления датчика. Исходное сопротивление датчика составляет несколько килоом. [55]

Расплавленный берилл обладает хорошей электропроводностью. На подине печи располагают небольшое количество концентрата. Затем в него погружают электроды и добавляют постепенно новые порции берилла до образования в печи расплавленной ванны. Расплав выливают в бак с водой, причем струю плава разбивают сильной струей воды из форсунки высокого давления. Небольшое количество расплавленной массы оставляют в печи для того, чтобы иметь необходимое исходное сопротивление для плавки следующей партии. [56]

Магниторезисторы изготовляют из материалов с высокой чувствительностью к эффекту Гаусса. Поскольку эффект магнитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магниторезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении, перпендикулярном радиусу, поэтому разделение носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой, хотя и с меньшим магнитосопротивлением, чем в диске Корбино, является пластина, ширина которой много больше ее длины. Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недосгатком является малое абсолютное значение исходного сопротивления R () ( при В 0), что обусловлено их конфигурацией. Этого недостатка лишена структура, где используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выступают в роли шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению магнитосопротивления. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. [57]

Магниторезисторы изготовляют из материалов с высокой чувствительностью к эффекту Гаусса. Поскольку эффект магаитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магаиторезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении, перпендикулярном радиусу, поэтому разделение носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой, хотя и с меньшим магнитосопротивлением, чем в диске Корбино, является пластина, ширина которой много больше ее длины. Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недостатком является малое абсолютное значение исходного сопротивления RO ( при В 0), что обусловлено их конфигурацией. Этого недостатка лишена структура, где используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выступают в роли шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению магнитосопротивления. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. В этом случае отпадает необходимость в нанесении металлических полос. Магниторезисторы такого типа созданы на основе кристаллов InSb с добавкой 1 8 % NiSh. Включения NiSb образуют в кристалле InSb иглы с удельным сопротивлением почти на два порядка меньшим, чем удельное сопротивление самого кристалла. Магнитосопро-тивление такого материала не зависит от формы образца, необходимо лишь, чтобы направление игл было перпендикулярно направлениям оси и магнитного поля. [58]

Страницы: 1 2 3 4