Cтраница 4
Схема включения fiC - це-почкн с управляющим диодом в колебательный контур.| Схемы суммирующих устройств а - параллельного типа на резисторах. б - последовательного типа на трансформаторах. [46] |
В этой цепи в качестве управляемого сопротивления используется внутреннее сопротивление диода Ri с нелинейной вольт-амперной характеристикой. Если у диода изменять положение рабочей точки на вольт-амперной характеристике путем изменения управляющего напряжения t / упр, то будет изменяться внутреннее сопротивление диода и тем самым в контур будет вноситься большая или меньшая емкость. [47]
В зависимости от величины постоянного напряжения на детекторе меняется внутреннее сопротивление диода. В связи с этим происходит изменение добротности контура L12, 21 и изменяется полоса частот, усиливаемых последним каскадом УЛЧИ. Действительно, внутреннее сопротивление диода через конденсаторы С22 и С20 подключено параллельно контуру. Таким образом, потенциометр R23 работает как корректор четкости изображения. [48]
Ко второй группе параметров относят крутизну анодной характеристики и внутреннее сопротивление диода переменному току, которые определяют связь между малыми изменениями напряжений и токов. [49]
Работа диода в схеме вьш-рямления переменного тока. [50] |
В положительный полупериод переменного напряжения конденсатор Сн быстро заряжается через сравнительно небольшое внутреннее сопротивление диода, а в отрицательный - медленно разряжается через сравнительно большое сопротивление нагрузки RH. Напряжение ис на обкладках конденсатора одновременно является напряжением на нагрузке ын, поскольку Сн и н включены параллельно. [51]
Из формулы ( 95) следует, что с уменьшением внутреннего сопротивления диодов в прямом направлении защитный ток увеличивается, поэтому в данной системе целесообразно использовать диоды только с малым внутренним сопротивлением, напри мер, германиевые диоды. [52]
Принципиальная схема лампового вольтметра ВКС-7. [53] |
Скорость установления этого стационарного состояния определяется величиной емкости Сх и внутренним сопротивлением диода. [54]
В расчетных формулах, приведенных в табл. 2, не учтены внутреннее сопротивление диодов и сопротивления обмоток трансформатора. [55]
При малых углах рассогласования выходные напряжения обоих каналов уменьшаются, поэтому внутренние сопротивления диодов возрастают. С / г - 0 приложены к соответствующим диодам. Недостатком схемы ( рис. 3.8, в) является невозможность полного отключения каналов ТО при больших углах и ГО - при малых углах рассогласования. [56]
При малых углах рассогласования выходные напряжения обоих каналов уменьшаются, поэтому внутренние сопротивления диодов возрастают. Следовательно, иаык сельсинной пары определяется в основном напряжением 6 т - 0 канала ТО. Недостатком схемы ( рис. 3.8, в) является невозможность полного отключения каналов ТО при больших углах и ГО - при малых углах рассогласования. [57]
Параметрами диода, характеризующими его свойства, являются крутизна характеристики и внутреннее сопротивление диода переменному току. [58]
Обратившись к характеристике диода, устанавливаем, что при таком токе на внутреннем сопротивлении диода падает UBK - l l В. [59]
Схемы диодных вольтметров переменного тока. [60] |