Внутреннее сопротивление - гальванический элемент
Cтраница 1
 |
Стеклянный электрод. [1] |
Внутреннее сопротивление гальванического элемента, состоящего из стеклянного и кало-мелевого электродов, так велико ( сотни Мом), что в качестве нуль-инструмента при потен-циометрических измерениях должен служить прибор, регистрирующий не ток, а изменение потенциала. Подобным прибором является электронная лампа. Поэтому для измерений рН со стеклянным электродом применяют ламповые потенциометры. [2]
Внутреннее сопротивление гальванического элемента невелико, а электростатической машины громадно. [3]
Если внутреннее сопротивление гальванического элемента очень большое, как в случае элемента со стеклянным электродом, протекающий по цепи ток слишком мал, чтобы вызвать заметное отклонение у большинства гальванометров с высокой чувствительностью. Чтобы получить на них отклонение в 1 мм, требуется ток по меньшей мере 5 - 10 - 10 а. Хотя известны гальванометры, с помощью которых можно обнаружить 0 1 мв при сопротивлении цепи 100 Мом, они обладают большим периодом колебаний и с ними трудно работать. Квадрантный электрометр более чувствителен к малым разностям потенциалов, чем гальванометры. [4]
Кондуктометрическое титрование по внутреннему сопротивлению гальванического элемента цинк - графит. [5]
Вайнштейном [87] кондуктометриче-ский метод основан на измерении внутреннего сопротивления гальванического элемента, у которого электролитический ключ, соединяющий два электролита, представляет собой стеклянную трубку с анализируемым раствором. Изготовление такого прибора доступно многим заводским лабораториям. Нако нец, совсем недавно Бьен [101] предложил микрометод высокочастотного титрования сульфатов и хлоридов в одной навеске, который может оказаться полезным при анализе дистиллятов, подвергавшихся гипохлоритной очистке от сернистых соединений. [6]
 |
График напряжения кислотного. [7] |
Внутреннее сопротивление аккумуляторов очень мало по сравнению с внутренним сопротивлением гальванических элементов. [8]
Таким образом, гальванический элемент, эскизное изображение которого дано на рис. 1.7, а, а изображение на принципиальных схемах - на рис. 1.7, б, можно представить в виде схемы замещения ( рис. 1.7, в), состоящей из последовательно включенных источника ЭДС Е и рези-стивного элемента с сопротивлением гвт, равным внутреннему сопротивлению гальванического элемента. Стрелка ЭДС указывает направление движения положительных зарядов внутри источника под действием сторонних сил. [9]
В зависимости от количества влаги на поверхности образца внутреннее сопротивление гальванического элемента, образованного электродами и поверхностью образца, изменялось незначительно. [10]
На внутреннее сопротивление химического источника тока большое влияние оказывает величина поверхности электродов. С увеличением поверхности уменьшаются плотность разрядного тока и внутреннее сопротивление гальванического элемента. Для увеличения поверхности электродов стремятся повысить их пористость, применяя электроды, изготовленные из порошковых материалов. [11]
В зависимости от количества влаги на поверхности образца внутреннее сопротивление гальванического элемента, образованного электродами и поверхностью образца, изменялось незначительно. [12]
 |
Схема и л пособления для приближенного определения сеточного тока. [13] |
При большом входном сопротивлении подаваемое напряжение должно быть постоянным. В общем случае неустойчивость в работе обусловлена быстрым увеличением внутреннего сопротивления слабого гальванического элемента. [14]
Ются высокие значения удельного электрического заряда и коэффициента использования иода. Ухудшение электрохимических характеристик с ростом молекулярной массы П-i NBJl можно объяснить возрастанием внутреннего сопротивления гальванического элемента при использовании высокомолекулярного поли - М - винил-пирролидона. [15]
Страницы: 1 2