Омическое сопротивление

Cтраница 2

Омическое сопротивление определяется сопротивлением толщины базы и зависит от геометрических размеров и удельного сопротивления базы. Для сплавного триода ( рис. 42) гбо состоит из сопротивления диска толщиной w и сопротивления колец толщиной ш, и wf в направлении движения носителей от эмиттера к базовому контакту. [16]

Разрядные кривые элемента 373 ( Марс при разных плотностях тока ( комнатная температура. [17]

Омическое сопротивление у марганцево-цинковых элементов относительно высоко. Сопротивление элемента 373 ( Марс) 0 2 - 0 3 Ом, у мелких стаканчиковых элементов оно достигает 2 - 3 Ом. [18]

Омическое сопротивление представляет собой активное сопротивление; емкости и индуктивности - реактивные сопротивления. [19]

Пример включения стабилизирующих трансформаторов.| Примерный характер изменения напряжения ЭМУ в зависимости от воздушного зазора ( для схемы на 9 - 15. [20]

Омическое сопротивление измеряется мостом постоянного тока или по методу амперметра - вольтметра. В последнем случае для предотвращения перенапряжений в обмотках разрыв их цепи необходимо производить только после предварительного плавного снижения в них тока до нуля. Измерение сопротивлений производится на всех отпайках первичной и вторичной обмоток. [21]

Омическое сопротивление каждой секции индукционных катушек при измерении мостом постоянного тока должно быть в пределах от 20 8 до 21 8 ом. Разность этих сопротивлений между секциями одной катушки не должна превышать 0 1 ом. [22]

Омическое сопротивление представляет собой активное сопротивление; емкости и индуктивности - реактивные сопротивления. [23]

Омические сопротивления всех нитей ввиду их одинаковой длины и сечения одинаковы; поэтому постоянный ток распределяется равномерно по всему сечению проводника. [24]

Омические сопротивления всех нитей ввиду их одинаковой длины и сечения одинаковы; поэтому постоянный ток распределяется рав о-мерно по всему сечению проводника. [25]

Омическое сопротивление упрощенно можно трактовать как препятствие направленному движению зарядов узлов кристаллической решетки материала проводника, совершающих колебательные движения около равновесного состояния. Интенсивность колебаний и, соответственно, омическое сопротивление возрастают с ростом температуры проводника. [26]

Омическое сопротивление проявляется главным образом во время разрядов при больших плотностях тока. Чем выше плотность тока, тем больше падение напряжения при прохождении тока по внутренней цепи через сепараторы, тем большая часть общей разности потенциалов теряется бесполезно. Общий запас кислоты в аккумуляторе, обычно, ограничивает емкость только при разрядах малыми плотностями тока, так как в таких условиях удается достаточно полно использовать кислоту в электролите. У положительных пластин кислоты расходуется больше, поэтому для облегчения ее доступа к ним пользуются ребристыми сепараторами, обращенными ребрами к положительным пластинам. [27]

Омическое сопротивление самого электрода сравнения можно не учитывать, поскольку, как упоминалось выше, протекающий через него ток практически равен нулю. [28]

Влияние омического сопротивления на форму кривых хроновольтамперометрической зависимости ( в обобщенных. [29]

Омическое сопротивление искажает форму хроновольтампе-рограмм, если падение напряжения / 7.v существенно изменяет потенциал рабочего электрода. [30]

Страницы: 1 2 3 4