Резистивное сопротивление
Cтраница 3
Индукционное устройство функционирует на основе взаимодействия переменных магнитных полей неподвижных электромагнитов с токами, индуктированными этими полями в подвижном якоре. Для создания вращающего момента при резистивном сопротивлении контура индуктированного тока необходимо не менее двух магнитных потоков, разделенных в пространстве и сдвинутых по фазе. В качестве якоря обычно используется диск 2 ( рис. 3.3, и) или цилиндр 2 ( рис. 3.3, б) из немагнитного материала. Магнитные потоки Фл, Фй индуктируют токи j, i 2 в подвижном якоре. [31]
Для анализа схем широко применяются эквивалентные схемы Теве-нина. Общее сопротивление схемы, импеданс, учитывает резистивное сопротивление, емкостную и индуктивную реактивность. [32]
Для логических плат с большим быстродействием существенным является правильное распределение питающего напряжения, позволяющее предотвратить его потери на сопротивлениях линий ( / XR), исключить проблемы, вносимые паразитными контурами, замыкающимися через землю, а также проблемы помех и взаимовлияния сигналов. Применение земляного слоя обеспечивает уменьшение падений напряжения на резистивных сопротивлениях и снижение индуктивных составляющих этих сопротивлений. Введение в многослойную плату слоя питания, в котором распределяется питающее напряжение, дает преимущества, аналогичные тем, которые достигаются при наличии слоя земли. [33]
На практике данный процесс происходит благодаря разряду предварительно заряженного конденсатора на резистивное сопротивление. Для уменьшения емкости конденсаторной батареи в РССТ современных источников используют промежуточные полупроводниковые усилители на транзисторах. Промежуточный полупроводниковый усилитель на транзисторах в схеме РССТ позволяет не только существенно уменьшить емкость батареи, но и регулировать время снижения сварочного тока. [34]
Представляет интерес и другой путь решения данной задачи. Он обусловлен тем, что в данной цепи последовательно с источником напряжения включено резистивное сопротивление Rz. Теперь цепь содержит только источники тока, и составление системы узловых уравнений не представляет труда. [35]
Вторая схема представляет собой расчетную схему для низких частот и служит для выяснения степени деформирования вершины импульса. Эту схему получают из полной схемы замещения, оставляя в ней последовательно включенные конденсаторы по пути следования сигнала, а также индуктивные элементы, включенные параллельно резистивным сопротивлениям, и закорачивая последовательные индуктивные элементы по пути следования сигнала. Паразитные емкости в низкочастотной схеме не учитывают. [36]
Первый элемент имеет резистивное сопротивление: п 2 Ом и индуктивное j i j ОД Ом. Второй элемент имеет резистивное сопротивление: Г2 5 Ом и индуктивное jx2j 0 3 Ом. Третий элемент имеет резистивное сопротивление: rj 4 Ом и индуктивное ] хз j 0 5 Ом. [37]
 |
Эквивалентные схемы связей при разряде электростатического заряда на корпус ЦТС, когда / корпус гальванически раз. [38] |
Если собственная емкость тела равна С, то его потенциал по отношению к земле равен E q / C. При приближении оператора к корпусу ( например, при попытке открыть дверцу или нажать кнопку) в момент, когда напряжение Е становится равным напряжению пробоя воздушного промежутка между телом и корпусом, происходит искровой разряд заряда на корпус. Путь разрядного тока проходит по участкам тела, обладающим некоторым резистивным сопротивлением R, и по участкам корпуса, обладающим некоторой индуктивностью LK. Резистивное сопротивление корпуса RK обычно несравнимо меньше R, поэтому при анализе им можно пренебречь. Эквивалентные схемы связей для данного вида воздействия приведены на рис. 3.6. Здесь замыкание выключателя Т имитирует возникновение разрядного промежутка. [39]
Перейдем к вопросу о реализации четырехполюсника по его заданной передаточной функции, полагая, что она удовлетворяет условиям физической реализуемости. Существует много различных методов реализации. В одних методах в основу положена передаточная функция при холостом ходе четырехполюсника, а других - передаточная функция четырехполюсника, нагруженного на согласованное резистивное сопротивление. В последнем случае принято нагрузку брать равной 1 Ом и называть ее нормализованной. [40]
Уравнение (1.6) определяет зависимость напряжения от тока и носит название вольт-амперной характеристики ( ВАХ) резистивного сопротивления. Если R постоянно, то ВАХ линейна ( рис. 1.3, а) и соответствует линейному элементу. Если же R зависит от протекающего через него тока или приложенного к нему напряжения, то ВАХ становится нелинейной ( рис. 1.3 6) и соответствует нелинейному резистивному сопротивлению. [41]
 |
Эквивалентные схемы связей при разряде электростатического заряда на корпус ЦТС, когда / корпус гальванически раз. [42] |
Если собственная емкость тела равна С, то его потенциал по отношению к земле равен E q / C. При приближении оператора к корпусу ( например, при попытке открыть дверцу или нажать кнопку) в момент, когда напряжение Е становится равным напряжению пробоя воздушного промежутка между телом и корпусом, происходит искровой разряд заряда на корпус. Путь разрядного тока проходит по участкам тела, обладающим некоторым резистивным сопротивлением R, и по участкам корпуса, обладающим некоторой индуктивностью LK. Резистивное сопротивление корпуса RK обычно несравнимо меньше R, поэтому при анализе им можно пренебречь. Эквивалентные схемы связей для данного вида воздействия приведены на рис. 3.6. Здесь замыкание выключателя Т имитирует возникновение разрядного промежутка. [43]
С этой целью тарировку второго канала ЭЛТ удобно выполнить в единицах тока. Резистор 20 Ом является измерительным. Поскольку форма кривой тока на резисторе совпадает с кривой напряжения, напряжение, подводимое на вход второго канала ЭЛТ, соответствует по форме кривой тока исследуемого элемента. Параметры исследуемых элементов подобраны таким образом, что резистивное сопротивление 20 Ом мало влияет на характер исследуемой цепи. [44]
В данной работе в качестве нелинейного элемента используется полевой транзистор. Входные воздействия ( напряжения), если их больше, чем одно суммируются с помощью сумматора. Высокое входное сопротивление сумматора исключает взаимное влияние источников. Типовая сток-затворная характеристика полевого транзистора ( характеристика нелинейного элемента) представлена на рис. 13.2. Для теоретического исследования нелинейных режимов всей цепи эта характеристика может быть заменена отрезками прямых или может быть использована более точная ( например кусочно-параболическая) аппроксимация. Характер преобразования синусоидального напряжения, подаваемого на вход цепи ( вход нелинейного элемента) зависит от нагрузки в цепи стока транзистора ( резистивное сопротивление R или колебательный LC контур), а также от исходного режима в котором находится нелинейный элемент. [45]
Страницы: 1 2 3