Cтраница 2
В соответствии с получившейся на рис. 7.11, б векторной диаграммой схема может быть заменена емкостным двухполюсником, и мнимая часть эквивалентного комплексного полного сопротивления схемы, определенного по формуле (7.86), должна быть отрицательной. [16]
Как видно, параметры г и g, x и Ъ одного участка ветви не являются обратными величинами. Обратными являются комплексные и полные сопротивления и проводимости участка. [17]
Комплексное число Z имеет размерность сопротивления и является коэффициентом пропорциональности между комплексными действующими значениями напряжения и тока двухполюсника. Поэтому Z г jxL называют комплексным полным сопротивлением индуктивного двухполюсника. [18]
Для прикидочных расчетов замкнутых электрических сетей известен метод расчета, получивший название метода расщепления схемы. При его применении действительная схема сети с комплексными полными сопротивлениями заменяется двумя схемами, одна из которых включает только активные, а другая - только реактивные сопротивления. [19]
Схема на двух транзисторах, представленная на фиг. Генератор хорошо работает на звуковых частотах, когда сопротивление кристалла очень велико, но при этом схема страдает от паразитивных колебаний, несмотря на то, что кристалл шунтируется емкостью. На радиочастотах, когда сопротивление кристалла лежит в пределах 10 - 1000 ом, его добротность Q из-за RL2 значительно понизится. Если RLz уменьшается, R должно увеличиваться, чтобы получить достаточное усиление и повысить фазовую нестабильность между каскадами. Кроме того, комплексное полное сопротивление в цепи базы транзистора Т1 оказывает нежелательное действие. Если при этом база связана с эмиттером очень низким сопротивлением, то усиление остальной части системы должно увеличиться. Даже если можно было бы создать систему, в достаточной степени уменьшающую разброс параметров контуров, фазовые сдвиги на самих используемых транзисторах складываются, а их влияние удваивается при изменении окружающих и рабочих условий. [20]