Cтраница 4
RBM - входное сопротивление база-эмиттер второго транзистора, то напряжение ДиЬе2 равно напряжению на эмиттерном сопротивлении. [46]
Устойчивость входного каскада к амплитудным перегрузкам может быть еще более повышена, если последовательно с общим эмиттерным сопротивлением включить дроссель со значительной величиной индуктивности или в качестве эмиттерного сопротивления использовать транзистор с неизменным током. Этим при сравнительно небольшом падении постоянного напряжения достигается значительное динамическое сопротивление. [47]
Только один из разрядов в каждый момент времени занимает состояние включено, а падение напряжения на общем эмиттерном сопротивлении этого разряда создает обратное смещение для других разрядов. [48]
При подаче отрицательного входного напряжения на базу ток базы, следовательно ток эмиттера, увеличивается, на внешнем эмиттерном сопротивлении Rs возрастает падение напряжения, положительное относительно базы, которое стремится уменьшить ток базы и ток эмиттера. [49]
![]() |
Схема инвертора с ограничением коллекторного напряжения ( а, тока базы ( б и инвертора на триодах с дополнительной симметрией ( в. [50] |
В тех случаях, когда передаются быстро нарастающие сигналы, необходимо обеспечить равенство импедансов нагрузок; это достигается обычно шунтированием эмиттерного сопротивления небольшой емкостью, величина которой подбирается экспериментально. [51]
![]() |
Схема объединения прямых входов элементов И, И-НЕ. [52] |
При непосредственном соединении выходов эмиттерных повторителей ( см. рис. 4.4, б) для сохранения уровней V и U выходных сигналов общее эмиттерное сопротивление не должно меняться. [53]
Из выражения ( 3 - 0.19) следует, что для данного сопротивления источника сигналов и данной частоты существует оптимальное значение эмиттерного сопротивления ( или эмиттерного тока), при котором коэффициент шума имеет минимальную величину. Если и ток эмиттера и сопротивление источника сигналов оптимальны и коэффициент а не зависит от тока эмиттера, из выражения ( 3 - 0.19) следует, что IE должен быть равен нулю. Однако это невозможно, поскольку при малых эмиттерных токах коэффициент а снижается, а во-вторых, потому, что выражение ( 3 - 0.19) не учитывает эффекта насыщения токов эмиттера и коллектора. [54]
![]() |
Частотная характер - r r. [55] |
В самом деле в этом случае входное сопротивление RBS hnt ( h - tie 1) Ке велико, так как эмиттерным сопротивлением RK является большое входное сопротивление второго эмиттерного повторителя. [56]
Простейшая схема переключателя тока приведена на рис. 3.20. Она состоит из эмиттерных повторителей, собранных на высокочастотных транзисторах Т и Т2 с общим эмиттерным сопротивлением Ra. [57]
![]() |
Мультивибратор с мягким самовозбуждением. [58] |
Основное преимущество рассмотренного мультивибратора ( возможность сочетания насыщенного режима работы с мягким возбуждением) достигается за счет уменьшения амплитуды импульсов ( из-за наличия эмиттерных сопротивлений) и ухудшения температурной стабильности рабочей частоты, особенно при уменьшении величины Ra. Эмиттер-ные емкости Сэ не являются принципиально необходимыми элементами схемы, однако они увеличивают броски базовых токов в моменты отпирания триодов, уменьшая тем самым длительность фронтов импульсов. [59]
Смещение рабочей точки высокочастотного транзистора ( 2N 370) в схеме 3 - 4 осуществляется обычным путем с помощью делителя напряжения в цепи базы и эмиттерного сопротивления, шунтированного емкостью. [60]