Cтраница 1
Обычно полное тепловое сопротивление прибора разбивается на два слагаемых: тепловое сопротивление участка переход - корпус RtK и тепловое сопротивление участка корпус - среда Rfl. [1]
![]() |
Зависимость относительного.| Зависимость относительного значения допустимого тока. [2] |
Это объясняется изменением теплового сопротивления прибора при различной интенсивности охлаждения. [3]
Вероятность возникновения теплового пробоя существенно зависит от теплового сопротивления прибора, внешних условий, схемы включения, условий во входной цепи, рабочего тока и напряжения на приборе. Тепловой пробой может быть устранен обеспечением тепловой стабильности режима работы прибора. [4]
Теплообмен между переходом и окружающей средой принято характеризовать тепловым сопротивлением прибора. [5]
Из приведенных кривых видно, что в процессе испытаний тепловое сопротивление приборов меняется весьма значительно, что связано в основном со старением припоев в паяных соединениях прибора. Параметры цепи управления ( ток управления и напряжение управления) практически не меняются. Незначительно возрастает прямое падение напряжения. Довольно сильно изменяются напряжение переключения, напряжение загиба и ток утечки. Все эти параметры характеризуют процесс старения приборов. [6]
![]() |
Схема для разбраковки транзисторов по минимальной ширине базы. [7] |
В связи с этим возникла необходимость проверить некоторые константы материалов, определяющих тепловое сопротивление приборов, и, в частности, величину теплопроводности индия. В литературе [19-23] для теплопроводности индия приведена цифра 0 0576 кал / град см сек. [8]
При / к / к коэффициент электротепловой связи STH1, т.е. увеличение мощности с ростом температуры компенсируется теплоотводом через тепловое сопротивление прибора; при STB1 происходит нарушение термостабильности: теплообмен не поспевает за ростом выделяющейся мощности. [9]
Поскольку в активном режиме работы транзистора выделение тепла происходит в меньших по объему областях, этот режим является более критичным, и он будет принят за основу при расчетах тепловых сопротивлений приборов. [10]
Температура p - n - перехода, определяется мощностью потерь и условиями охлаждения, которые в свою очередь зависят отсреднего значения тока на вентиле, величины прямого падения напряжения, формы тока и теплового сопротивления прибора. [11]
Таким образом, представленные в наиболее общем виде методы взаимного пересчета тепловых параметров различных по структуре эквивалентных схем ( рис. 1 - 9 и 1 - 10) тепловых моделей полупроводниковых приборов создают основные предпосылки для возможностей количественной оценки операторного теплового сопротивления приборов в удобной для последующих расчетов импульсные тепловых режимов форме. [12]
Третий фактор, ограничивающий мощность прибора, связан с максимально допустимой температурой полупроводникового материала. Вместе с тепловым сопротивлением прибора RT она определяет мощность Рт - & T / RT, которую можно отвести через теплоотвод. [13]
Латунь поддается легкой механической обработке, а также хорошо лудится и паяется. Электрод имеет большую поверхность, что обеспечивает низкое тепловое сопротивление прибора и, следовательно, хороший отвод тепла. [14]
Проведенные в последующие годы работы позволили существенно уменьшить тепловое сопротивление приборов и улучшить токовую зависимость коэффициента усиления. [15]