Cтраница 2
Для повышения эффективности диффузионного переноса компонентов было предложено располагать источник и подложку ( в виде пластин) на очень близком расстоянии друг от друга. Зазор между пластинами не должен превышать 0 1 диаметра источника. Необходимый для процесса градиент температуры можно регулировать в широких пределах, используя радиационный нагрев. При малых зазорах эффективность переноса близка к 100 %, причем состав растущего кристалла довольно точно соответствует составу источника, а его конфигурация подобна форме источника. Этот метод, получивший название сэндвич метода, весьма удобен для изучения кинетики процессов переноса в зависимости от температуры и давления паров переносчика. С технологической точки зрения его главным недостатком является трудность очистки поверхности кристалла-подложки и источника непосредственно перед проведением процесса. Сэндвич метод применяют главным образом для выращивания эпи-таксиальных пленок. [16]