Cтраница 3
Полученные в результате ковки, горячей и холодной штамповки детали должны, как сказано было выше, подвергаться термообработке как для снятия напряжений, так и для выравнивания структуры. Кроме того, окалина способствует интенсивному корродированию материала при условии работы его во влажной атмосфере. Следует опасаться производить травление деталей без предшествующей термообработки, так как последняя необходима также для обеспечения максимальной коррозионной стойкости материала, без чего будут не только большие потери его в травильном составе, но и разъедание материала по границам зерен. [31]
Отдельные элементы изделия - днища, крышки и другие детали, подвергавшиеся в процессе изготовления нагреву и прошедшие термообработку до сборки, подвергаются опеакоструиванию с последующим травлением в растворе, состоящем из 20 % соляной кислоты, 5 % азотной кислоты, 5 % серной кислоты и 70 % воды. Хорошие результаты дает также ванна состава: соляной кислоты 23 - 20 объемных частей, азотной кислоты 41 - 5 объемных частей, воды - 50 объемных частей. Для предохранения материала от неравномерного и слишком интенсивного воздействия травильного раствора в него рекомендуется добавлять 0 1 - 0 2 объемных частей травильного масла, состоящего из раствора одной части столярного клея, сваренного в трех частях концентрированной соляной кислоты. Для этих целей выпускается специальный препарат Антра. Длительность травления отдельных деталей или целого изделия колеблется, в зависимости от состояния раствора, от 10 мин. Процесс травления должен все время контролироваться по состоянию поверхности во избежание перетравливания металла, для чего деталь или изделие время от времени извлекается из раствора, протирается шерстяной ветошью и осматривается. Травильные ванны делаются цемент - ными, в них предусмотрен1 спуск отработанных травильных составов. Помещение для травления деталей и изделий должно быть обеспечено приточно-вытяжной вентиляцией. [32]
Ориентация кристаллов в нем совпадает с ориентацией в основном кристалле, который при введении небольших количеств фосфора или сурьмы становится донором электронов. Отныне кристаллическая пластина содержит первый p - n - переход между самим кристаллом и эпитаксйальным слоем. На следующей стадии пластину нагревают в кварцевой трубе при температуре свыше 1000 С и в атмосфере кислорода, после чего она покрывается слоем оксида толщиной около 1 мкм. Этот слой обеспечивает химическую защиту ( пассивацию) и электрическую изоляцию полупроводникового материала. На каждом предварительно выделенном участке должны быть теперь созданы сотни и даже тысячи изолированных друг от друга зон, каждая из которых будет выполнять функции определенного элемента электронной схемы. Для реализации такого очень тонкого, но необходимого структурирования служит специальная технология. Поверхность кристалла покрывают специальным синтетическим лаком, который при сильном освещении затвердевает, а в неосвещенных местах остается растворимым. Путем оптического уменьшения соответствующего черно-белого шаблона достаточно мощным проектором в слое лака создается картина желаемой структуры, например сеть узких полос для разграничения зон. Если после этого пластину обработать травильным составом, содержащим плавиковую кислоту, то при аккуратном проведении процесса вдоль полос будет снята пленка оксида и опять появится слой полупроводника. [33]