Изделие - микроэлектроника
Cтраница 2
Современная электроника характеризуется массовым выпуском изделий микроэлектроники - интегральных микросхем с быстро растущей степенью интеграции. Интегральной микросхемой ( ИМС) называется совокупность нескольких взаимосвязанных элементов, изготовленных в едином технологическом цикле, на одной подложке; ИМС выполняет функцию определенного электронного устройства. В современных ИМС на 1 см удается выполнить более 10б элементов. По способу изготовления и получаемой при этом структуре ИМС можно разделить на три основных типа: гибридные, пленочные и полупроводниковые. [16]
Схема, иллюстрирующая приведенную выше классификацию изделий микроэлектроники и интегральных микросхем, приведена на рис. В. Эта классификация не исчерпывает всего многообразия изделий микроэлектроники, существующих в настоящее время, и не может претендовать на полноту, однако она охватывает практически все разновидности ИМС. [17]
Аппаратуру, в которой в основном используются изделия микроэлектроники, называют микроэлектронной. [18]
Их также необходимо откуда-то получать, иначе изделия микроэлектроники не смогут функционировать. Для электропитания используют, например, бытовые сети электроснабжения или аккумуляторы. Однако существуют полупроводниковые приборы, способные давать электрическую энергию. Такими приборами являются солнечные элементы. [19]
Изменение во времени характерных параметров для большинства изделий микроэлектроники ( степень интеграции, быстродействие, объем памяти и др.) происходит по экспоненциальным кривым. Поэтому для прогнозирования широко используют логистические кривые, которые описывают ускоренное развитие до определенного момента времени ( до точки перегиба) с последующим замедлением роста под влиянием ограничивающих ( в основном технологических) факторов и переходом к насыщению. [20]
Соответственно возрастают требования к подготовке рабочих для производства изделий микроэлектроники. Современный рабочий, например наладчик радиоэлектронной аппаратуры или технологического оборудования, должен хорошо знать принципы действия, параметры и назначение полупроводниковых приборов и микросхем. Изложенный в небольшом по объему учебном пособии материал должен послужить основой для приобретения учащимися практических навыков, а также углубления и расширения их знаний при работе с технической литературой и технической документацией по применению полупроводниковых приборов и микросхем. [21]
Возрастание роли заказных БИС в общем объеме производства изделий микроэлектроники является одной из характерных особенностей современного полупроводникового производства. [22]
В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделий полупроводниковой микроэлектроники. Изложены основные принципы функционирование изделий микроэлектроники. [23]
За последнее время при широком внедрений системы управления качеством изделий микроэлектроники значительно изменялись задачи, стоящие перед службами ОТК и заключающиеся в оперативном сборе, обработке, передаче информации об изменении качества изделий на этапах разработки, производства и применения для принятия соответствующих мер. В этих условиях меняется и огранизацио Нная система контроля и испытаний, в которой предусматривается широкое использование математических методов, автоматизированных средств контроля и ЭВМ. [24]
 |
Акустическое изображение. [25] |
Акустические микроскопы применяют [162, 248] для НК различных материалов, изделий микроэлектроники, в биологии и медицине. [26]
Актуальной задачей остается определение качества микроэлементов, в том числе изделий микроэлектроники и вычислительной техники. Для ее решения необходимо искать новые физические методы контроля и совершенствовать те приборы, пока очень малочисленные, которые применяются сейчас, - рентгеновские аппараты с высокочувствительной рентгеновской пленкой, рентгено-телевизионные микроскопы с 800-кратным увеличением и микрофокусными трубками 0 3X1 4 мм, точечные инфракрасные пирометры, тепловизионные микроскопы с разрешением до 0 01 по температуре и некоторые другие. [27]
Особенности и результаты применения каждой из этих форм ФСА при создании изделий микроэлектроники рассматриваются в [9] и в § 2.4, 2.5 настоящего пособия. [28]
Значение эллипсометрических измерений неуклонно возрастает в связи с увеличением удельного веса изделий микроэлектроники в общем объеме производства приборов. Так, в тонкопленочной полупроводниковой электронике поляризационные оптические методы используются для определения толщин и показателей преломления тонких пленок на кремниевых и германиевых подложках. Относительная простота эллипсометрических методов позволяет проводить поляризационно-оптические измерения на любой стадии технологического процесса, а также исследовать кинетику процесса формирования тонких пленок. [29]
В предыдущих разделах указывалось, что не существует универсального метода определения изделий микроэлектроники со скрытыми дефектами. [30]
Страницы: 1 2 3 4