Омическая составляющая
Cтраница 3
Тэ да Ест при т - 0), а наблюдаемый сдвиг потенциала равен падению напряжения на омическом сопротивлении поверхностного слоя. Таким образом, в начале импульса измеряется омическая составляющая, а в конце импульса - потенциал электрода. В этом методе необходимо применять импульсы тока с большой крутизной переднего фронта. [31]
Поляризационная составляющая при малых удельных сопротивлениях ( менее 10 Ом м) в основном определяет разность потенциалов труба - земля. Только при больших дефектах ( диаметром более 100 см) начинает заметно влиять омическая составляющая. Общая тенденция изменения поляризационной составляющей проявляется в увеличении ее доли в измеряемой разности потенциалов приуменьшении размера дефекта и удельного сопротивления грунта. [32]
 |
Схема измерительного модуля СИМФ. [33] |
Суть измерений поляризационного потенциала с помощью измерительного модуля СИМФ заключается в измерении потенциала вспомогательного образца способом Габера-Луггина, модифицированного Пионтелли, при котором мембрана электролитического ключа максимально приближена к вспомогательному электроду. При таком способе измерений, из-за близкого расположения вспомогательного и измерительного электродов, омическая составляющая в измеренной величине практически отсутствует. [34]
Поляризационная составляющая при малых удельных сопротивлениях ( менее 10 Ом м) в основном определяет разность потенциалов труба - земля. Только при больших дефектах ( диаметром более 100 см) начинает заметно влиять омическая составляющая. Общая тенденция изменения поляризационной составляющей проявляется в увеличении ее доли в измеряемой разности потенциалов при уменьшении размера дефекта и удельного сопротивления грунта. [35]
При подключении вольтметра непосредственно к электроду сравнения и испытательному электроду при поляризации последнего постоянным током измеряемая разность потенциалов представляет собой сумму поляризационного потенциала испытательного электрода, определенного по отношению к электроду сравнения, и некоторого падения напряжения в грунте между этими электродами. Омическая составляющая прямо пропорциональна току; коэффициент пропорциональности зависит от размеров и удельного электрического сопротивления грунта. Омическая составляющая не связана с электрохимическими процессами на поверхности испытательного электрода и как помеха должна быть исключена. [36]
 |
Виды контроля коррозионного процесса по Н. Д. Томашову. [37] |
Если ДфкДфа, то коррозия протекает с катодным контролем. Как было отмечено, при ощутимой величине R появляется омическая составляющая Дфд. В этом случае коррозия протекает с омическим контролем. [38]
Достаточно строгое количественное решение этого вопроса не представляется возможным, так как при исследованных весьма больших плотностях тока и скоростях электродных процессов состав и состояние околоэлектродной части раствора неизвестны, и это не позволяет рассчитать омическую составляющую потенциала. Для приближенного качественного решения этого вопроса было сделано следующее. Исходя из предположения, что при отсутствии резких изменений природы и состояния электродных процессов омическая составляющая потенциала с возрастанием плотности тока увеличивается равномерно, и принимая их увеличения пропорциональными одно другому, была построена прямая условная омическая составляющая потенциала - плотность тока, общая для всех исследованных растворов. По этой прямой для измеренных плотностей тока были определены величины условных омических составляющих потенциала и вычитанием таких величин из измеренных потенциалов получены потенциалы, исправленные на условные омические составляющие. Чтобы условные омические составляющие потенциала были достаточно и рационально большими, угол наклона построенной для их определения прямой был выбран таким, при котором наиболее пологие участки кривых измеренный потенциал - скорость процесса в кривых потен - циал, исправленный на условную омическую составляющую, - скорость процесса принимали положение, близкое к горизонтальному. Выбранный угол наклона указанной прямой равен 0 4 в / а и составляет около половины среднего угла наклона кривых измеренный потенциал - плотность тока. [39]
Значительная часть потенциала, измеренного по схеме сооружение-электрод сравнения - это омическая составляющая, вызванная протеканием тока в грунте и в порах изоляционного покрытия. Однако омическая составляющая потенциала не характеризует кинетику элект рохймических процессов, проходящих на поверхности металла, и не определяет степень коррозионной опасности или эффективность катодной защиты. Поэтому для определения поляризационного потенциала из измеренной разности потенциалов сооружение - электрод сравнения должна быть исключена омическая составляющая. Один из методов основан на том, что разные составляющие потенциала при выключении поляризующего тока исчезают с разной скоростью. Омическое падение напряжения исключается в момент кратковременного выключения поляризующего тока ( так как оно практически мгновенно падает до нуля), в то время как концентрационная поляризация сохраняется некоторое время на достаточно высоком уровне и лишь затем медленно падает. [40]
Достаточно строгое количественное решение этого вопроса не представляется возможным, так как при исследованных весьма больших плотностях тока и скоростях электродных процессов состав и состояние околоэлектродной части раствора неизвестны, и это не позволяет рассчитать омическую составляющую потенциала. Для приближенного качественного решения этого вопроса было сделано следующее. Исходя из предположения, что при отсутствии резких изменений природы и состояния электродных процессов омическая составляющая потенциала с возрастанием плотности тока увеличивается равномерно, и принимая их увеличения пропорциональными одно другому, была построена прямая условная омическая составляющая потенциала - плотность тока, общая для всех исследованных растворов. По этой прямой для измеренных плотностей тока были определены величины условных омических составляющих потенциала и вычитанием таких величин из измеренных потенциалов получены потенциалы, исправленные на условные омические составляющие. Чтобы условные омические составляющие потенциала были достаточно и рационально большими, угол наклона построенной для их определения прямой был выбран таким, при котором наиболее пологие участки кривых измеренный потенциал - скорость процесса в кривых потен - циал, исправленный на условную омическую составляющую, - скорость процесса принимали положение, близкое к горизонтальному. Выбранный угол наклона указанной прямой равен 0 4 в / а и составляет около половины среднего угла наклона кривых измеренный потенциал - плотность тока. [41]
При этом оказывается возможным значительное снижение сопротивления в открытом состоянии, несвойственное МДП - транзисторам. Схемотехнически структуру ячейки IGBT можно представить комбинацией двух главных составляющих: управляющего МДП-транзи-стора и биполярного р-п-р-транзистора ( 2.26), соединение которых очень напоминает внутреннюю структуру упоминавшихся в первой главе побистора и каскадного BIMOS-клю-ча. Таким образом, в отличие от МДП-ключа прямое падение напряжения в рассматриваемой структуре, с одной стороны, не может быть меньше, чем пороговое значение диодной составляющей, а с другой стороны, оно пропорционально выходному току, умноженному на значительно меньшее промодулированное омическое сопротивление. Поскольку омическая составляющая расположена в базовой цепи p - n - p - транзистора, величину модуляции можно рассматривать как уменьшенное в SN раз сопротивление эпитаксиального гГ - слоя, где SN - коэффициент передачи базового тока биполярного транзистора. Данное представление прямого напряжения определяет его температурную зависимость, которая складывается из двух противоположных составляющих: отрицательного температурного коэффициента у диодной компоненты и положительного у омической. Как правило, в области рабочих токов, на которые проектируется структура IGBT, результирующий температурный коэффициент является положительным, сохраняя в данном приборе преимущества полевого транзистора. Очевидно, что уменьшения прямых падений напряжения на открытом IGBT можно достигать двумя путями: уменьшением омического сопротивления эпи-таксиальных слоев и увеличением коэффициента передачи тока SN дляр-л-р-транзистора. Первый путь имеет ограничения, связанные с геометрическими размерами л - области, определяющими предельно допустимые напряжения на закрытом ключе. [42]
Разность потенциалов труба - земля, измеряемая относительно медно-сульфат-ного электрода сравнения, установленного на поверхности земли, включает в себя омическую составляющую, к-рая вносит систематич. Для уменьшения этой погрешности используются компенсационные, релаксационные и экстраполяционные методы измерения. Наибольшее распространение получили релаксационные методы, при к-рых измерение потенциала выполняется через короткий промежуток времени после отключения тока катодной защиты. При этом омическая составляющая потенциала исчезает во времени существенно быстрее, чем поляризационная. [43]
Однако качественная картина происходящих процессов может быть проанализирована. При изменении любой токовой нагрузки на рельсовой сети электромагнитное возмущение распространяется в среде за пренебрежимо малое время. Время установления составляющих потенциалов, определяющееся переходом проводящей среды от состояния, характеризующегося одним распределением тока, к состоянию, соответствующему другому распределению тока, зависит от параметров, характеризующих среду. Это значит, что омическая составляющая потенциала устанавливается в пренебрежимо малое время TI и перераспределение омической составляющей потенциала происходит со скоростью изменения поля блуждающих токов. [44]
Страницы: 1 2 3