Cтраница 3
Активная составляющая магнитной связи или так называемая активная связь г обусловлена вихревыми токами, которые возникают а соседних жилах при прохождении переменного тока по цепи кабеля и вызывают дополнительные потери энергии в цепи передачи. Аналогичные потери имеют место в экране, свинцовой оболочке и других металлических частях кабеля. [31]
Активная составляющая первого тока / а ] выбирается совпадающей по фазе с напряжением ( фиг. [32]
Активная составляющая магнитной связи г, или так называемая активная связь, обусловлена вихревыми токами. При прохождении переменного тока по цепи кабеля в соседних жилах за счет переменного магнитного поля наводятся вихревые токи, вызывающие дополнительные потери энергии в цепи передачи. Аналогичные потери имеют место в экране, свинцовой оболочке и других металлических частях кабеля. [33]
Активная составляющая проводимости G 0 005 - v3 0 00865 См, а реактивная составляющая В - 1 / со. [34]
Активная составляющая нагрузочного момента зависит от вида возбудителя и определяется активной составляющей сопротивления колебательного контура Re Z. По характеру этих функций видно, что такие отклонения вполне могут появиться в выражениях Re Z ( со), Re У ( со) и целиком определяются характером внешней нагрузки и зависят от ее способности к потреблению активной энергии возбудителя. Таким образом, оценка склонности колебательной системы к неустойчивости сводится к определению способности системы потреблять активную энергию возбуждения. Как видно из выражений ( 4) и ( 6), эта способность за висит от значений и характера диссипативного сопротивления контура, его расположения по отношению к другим элементам контура и различна для силового и кинематического способов возбуждения. [35]
Активная составляющая полного тока ячейки, вызывающая в основном нагрев жидкости, возникает за счет перемещения ( миграции) ионов жидкости под действием электрического поля. [36]
Активная составляющая индуктивной связи ИЛР так называемая активная связь г обусловлена вихревыми токами. [37]
Активная составляющая проводимости Gp ячейки обусловлена потерями высокочастотной энергии, подводимой к ее электродам. Основным фактором, определяющим Gp, является миграция ионов, вызываемая градиентом потенциала в растворе. Протекающий через ячейку активный ток, обусловленный наличием GF, находится в фазе с приложенным напряжением. [38]
Активная составляющая проводимости Gp ячейки обусловлена потерями высокочастотной энергии, подводимой к ее электродам. Основным фактором, определяющим Gp, является миграция ионов, вызываемая градиентом потенциала в растворе. Протекающий через ячейку активный ток, обусловленный наличием Gp, находится в фазе с приложенным напряжением. [39]
![]() |
Эквивалентная схема цилиндрического пленочного резистора без нарезки.| Упрощенная эквивалентная схема - Ф высокоомного резистора. [40] |
Активная составляющая полного сопротивления резистора на переменном токе зависит не только от его номинального сопротивления, но и от собственной емкости и индуктивности резистора. [41]
Активная составляющая нагрузки вторичной цепи зависит от коэффициента мощности нагрузки. [42]
Активная составляющая напряжения сети Ua lr U cos ф 120 В, реактивная его составляющая Ur Ix Usinf s - 160 В. [43]
Активная составляющая проводимости ячейки Gp обусловлена потерями высокочастотной энергии, подводимой к ее электродам. Основным фактором, определяющим Gp, является миграция ионов, вызываемая градиентом потенциала в растворе. Протекающий через ячейку активный ток, обусловленный наличием Gp, находится в фазе с приложенным напряжением. [44]
Активная составляющая комплексной диэлектрической проницаемости соответствует рассмотренной ранее относительной диэлектрической проницаемости, а реактивная составляющая е характеризует поглощение энергии в веществе, введенном в электрическое поле, и называется коэффициентом диэлектрических потерь. [45]