Диффузионная составляющая - ток
Cтраница 2
При малых токах / пр велика доля рекомбинационной составляющей тока и коэффициент инжекции в соответствии с выражением (1.23) мал. С ростом прямого тока поток излучения сначала быстро увеличивается до тех пор, пока в токе диода не становится преобладающей диффузионная составляющая тока. [16]
 |
Вольт-амперная характери -. [17] |
Кроме того, эти полупроводники обладают высокой концентрацией носителей и высокими значениями их подвижности. При этих условиях носители заряда преодолевают запирающий слой без соударений. Следовательно, диффузионная составляющая тока мала по сравнению с дрейфовой и из полупроводника в металл переходят только те электроны, которые обладают достаточно большой кинетической энергией. Теория выпрямления для этого случая называется диодной. [18]
Диффузионная составляющая тока через переход зависит от высоты потенциального барьера. Согласно распределению Ферми ( см. рис. 1 - 8) по мере увеличения потенциального барьера все меньшее количество основных носителей заряда оказывается способным преодолеть этот барьер. В предельном случае диффузионная составляющая тока с ростом высоты потенциального барьера стремится к нулю. [19]
Электроактивное вещество В находится в равновесии с веществом А, которое не является деполяризатором. Равновесие определяется константой / ССА / СВ, скорость установления равновесия j зависит от величины констант прямой ( &i) и обратной ( k2 kiK) f [ v химических реакций. Пусть / С 1, равновесие в растворе сдвинуто в сторону вещества А, тогда диффузионная составляющая тока ока - Д) жется малой из-за низкой концентрации вещества В в растворе и ток в основном будет обусловлен потоком этого вещества, возни-кающего в результате химической реакции. [20]
На рис. 4.12 показано распределение плотности носителей заряда в базе дрейфового транзистора, рассчитанное по приведенному соотношению для различных градиентов концентрации примеси при одной и той же плотности дырочного тока Jp. Случай т ] 0 соответствует транзистору с постоянной концентрацией примеси4 в базе. При увеличении коэффициента поля 1 ] электрическое поле в базе и дрейфовая составляющая тока возрастают. Следовательно, диффузионная составляющая тока и градиент концентрации носителей заряда должны уменьшаться, что и видно из графика. При т ] 8 ток у эмиттерного перехода определяется в основном дрейфом носителей заряда и градиент их концентрации в этой области практически равен нулю. По мере приближения к коллекторному переходу концентрация носителей заряда и дрейфовая составляющая тока уменьшаются, а градиент концентрации носителей заряда и диффузионная составляющая тока возрастают. Непосредственно у коллекторного перехода дрейфовая составляющая тока равна нулю и ток является чисто диффузионным. [21]
Ток 1п ( х) почти не зависит от х, так как при Ws Ln ток рекомбинации в базе очень мал. В то же время относительный вклад двух составляющих электронного тока сильно зависит от координаты. WB) концентрация электронов из-за экстракции в коллекторный переход мала, и в соответствии с этой формулой основной вклад в ток 1п ( х) вносит диффузионная составляющая тока, тогда как вблизи эмиттерного перехода ( х О) диффузионная и дрейфовая составляющие соизмеримы. [22]
На рис. 4.12 показано распределение плотности носителей заряда в базе дрейфового транзистора, рассчитанное по приведенному соотношению для различных градиентов концентрации примеси при одной и той же плотности дырочного тока Jp. Случай т ] 0 соответствует транзистору с постоянной концентрацией примеси4 в базе. При увеличении коэффициента поля 1 ] электрическое поле в базе и дрейфовая составляющая тока возрастают. Следовательно, диффузионная составляющая тока и градиент концентрации носителей заряда должны уменьшаться, что и видно из графика. При т ] 8 ток у эмиттерного перехода определяется в основном дрейфом носителей заряда и градиент их концентрации в этой области практически равен нулю. По мере приближения к коллекторному переходу концентрация носителей заряда и дрейфовая составляющая тока уменьшаются, а градиент концентрации носителей заряда и диффузионная составляющая тока возрастают. Непосредственно у коллекторного перехода дрейфовая составляющая тока равна нулю и ток является чисто диффузионным. [23]
Страницы: 1 2