Основная составляющая - ток
Cтраница 1
Основная составляющая тока / г ( заменяющая ток /) течет при этом по радиусу, а протеканию тока / ( заменяющего ток /) ничто не мешает. [1]
 |
Схемы замещения, поясняющие составляющую тока емкостной асимметрии ( а и составляющие емкостного и активного токов ( б. [2] |
Активный ток не превышает 6 % указанного значения емкостного тока. Таким образом, основная составляющая тока замыкания на землю - это емкостный ток сети, значение которого определяется суммарной емкостью сети и сопротивлением R. [3]
 |
Схемы замещения, поясняющие понятия тока асимметрии, емкостного и активного тока в незаземленной сети. [4] |
Активный ток / о не превышает 6 % указанного значения тока / с. Таким образом, основная составляющая тока замыкания на землю - это емкостный ток сети, значение которого определяется суммарной емкостью сети и сопротивлением R. [5]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [6] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-п-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [7]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном токе базы ( б. UK3. / кэ. [8] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви вольт-амперной характеристики диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-п-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 2.18 6, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбинаци-онная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [9]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы. [10] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви вольт-амперной характеристики диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-я-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбинационная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [11]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном токе базы ( б. [12] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на p - n - переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [13]
Сильно легированные р - и и - области остаются на низком уровне инжекции. В / - области основная составляющая тока - это ток дырок, проходящий под действием поля, а в и - области - ток электронов. Эти потоки дырок и электронов направлены в / - область, где происходит рекомбинация. [14]
При увеличении температуры входная характеристика кремниевого транзистора смещается влево примерно на 2 мВ / С. Это ведет к уменьшению Un, а значит, и к сокращению длительности импульса. С друшй стороны, ток / к0 составляет часть разрядного тока конденсатора. С ростом температуры ток / 0 растет, что ведет к увеличению разрядного тока конденсатора. В результате длительность импульса также сокращается. Поскольку основная составляющая тока разряда конденсатора замыкается через резистор R2, то с уменьшением сопротивления уменьшается доля тока / к0 в общем разрядном токе, в этом случае влияние нестабильности тока 1 на длительность импульса будет меньше. [15]
Страницы: 1 2