Состояние - ключ
Cтраница 4
Следует заметить, что параметры полупроводниковых приборов имеют большой технологический разброс. Кроме того, они значительно изменяются при изменений условий эксплуатации, главным образом температуры переходов. Поэтому обычно требуют, чтобы неравенства, выражающие граничные условия существования того или иного состояния ключа, выполнялись бы при наиболее неблагоприятном, наихудшем сочетании отклонений параметров транзисторов от номинальных значений по величине и знаку. [46]
 |
Схема замещения трансформа - [ IMAGE ] Однотактный DC-DC преобразова - тора с индуктивностью намагничивания. [47] |
За рубежом такие преобразователи называют single-ended forward converters или просто forward converters. Смысл термина однотактный заключается в том, что передача энергии в нагрузку происходит только на одном интервале времени за период работы. Прямоходовым преобразователь называется в силу того, что передача энергии происходит в интервале состояния ключа ON ( ключ замкнут) - здесь как бы ставится в соответствие замкнутое состояние ключа и интервал работы устройства, в котором энергия передается на выход. [48]
Различают импульсные устройства с несколькими устойчивыми состояниями и устройства с несколькими временно устойчивыми состояниями. В импульсном устройстве первого типа для изменения устойчивого состояния необходимо однократное внешнее воздействие, изменяющее режим транзисторного ключа. В импульсном устройстве с временно устойчивыми состояниями периодически получается открытое и закрытое состояние ключа без внешнего воздействия или состояние ключа восстанавливается через некоторое время после однократного внешнего воздействия. [49]
 |
Схема ( а и диаграммы работы ( б дифференцирующей цепи. [50] |
Логические элементы чаще всего строят на базе электронных устройств, работающих в ключевом режиме. Поэтому цифровую информацию обычно представляют в двоичной форме, в которой сигналы принимают только два значения: О ( логический нуль) и 1 ( логическая единица), соответствующие двум состояниям ключа. [51]
 |
Схема использования транзистора в качестве ключа.| Области работы транзистора. [52] |
КЭО и рабочая точка находится в точке А. Величина тока / кэо отличается от вели нны обратного тока коллектора / ко, так как последний измеряется при / df5 0, а в схеме на рис. 6.17 это условие не выполняется. Из-за малой величины / кэо можно считать, что коллектор находится под полным напряжением Ек. Такое состояние ключа называется разомкнутым. [53]
Некоторые события в системе могут заблокировать или изменить движение транзактов. Например, переключение светофора на перекрестке меняет направление движения автотранспорта. Для моделирования подобных ситуаций введены логические ключи. Через некоторое время состояние ключа может быть использовано другими транзакта-ми для выбора одного из двух возможных путей движения или ожидания момента изменения состояния ключа. [54]
Некоторые события в системе могут заблокировать или изменить движение транзактов. Например, переключение светофора на перекрестке меняет направление движения автотранспорта. Для моделирования подобных ситуаций введены логические ключи. Через некоторое время состояние ключа может быть использовано другими транзакта-ми для выбора одного из двух возможных путей движения или ожидания момента изменения состояния ключа. [55]
В коллекторную цепь включен резистор RK, служащий нагрузкой ключа. БЭПОР ( рис. 157 6), его базовый и коллекторный токи равны нулю, т.е. транзистор работает в режиме отсечки. При этом через резистор RK проходит только малый неуправляемый ток коллектора / КБО ( обратный ток коллекторного перехода), создавая на нем малое падение напряжения. Такое состояние ключа эквивалентно разомкнутому контакту реле - нагрузка А. [56]
 |
Поперечное сечение консольного ( а и мостикового ( б вариантов МЭМС ключей. [57] |
На рис. 6.4.1 показаны конфигурации СВЧ ключей на основе МЭМС. В одной из них ( рис. 6.4.1 а) использует верхний электрод в виде консоли. В открытом состоянии консоль находится в свободном состоянии на некотором расстоянии от нижнего электрода. При подаче постоянного управляющего напряжения на эти два электрода консоль притягивается к нижнему электроду за счет электростатических сил и прижимается к тонкому диэлектрическому слою, нанесенному на нижний электрод. При этом емкость ключа изменяется. Таким образом, два состояния ключа соответствуют двум значениям емкости. [58]
По сравнению с предыдущим методом данный подход является более гибким, так как позволяет организовать доступ программы к блокам памяти, расположенным не подряд. Дальнейшее развитие этого пути состоит в том, чтобы каждому блоку памяти поставить в соответствие несколько триггеров, например три. Каждой из; независимых программ поставим в соответствие набор из трех двоичных разрядов оторый будем называть ключом памяти для данной программы. Сэстояния ключей и замков ( очевидно, как тех, так и других в нашем примере может быть максимум восемь) устанавливаются супервизором. При каждом обращении к памяти производится сравнение состояний ключа и замков; обращение считается разрешенным, если ключ и замок совпадают или если один из них ( безразлично замок или ключ) равен нулю. В последней группе удобно размещать программы или данные, используемые разными пользователями. Кроме тоге, имеется одна программа с ключом 0, имеющая доступ ко всей памяти; удобно присвоить этот ключ супервизору, так как последний должен иметь возможность перезаписывать любой участок памяти, например при обмене информацией между ОЗУ и ВЗУ. [59]
Страницы: 1 2 3 4