Cтраница 4
В состоянии термодинамического равновесия свободная энергия, как известно, минимальна. Это значит, что квадратичная форма ( 4 3) должна быть положительна. Если выбрать тензор uih таким, что и 0, то в (4.3) останется только первый член; если же выбрать тензор вида и const - 6ift, то останется только второй член. [46]
В состоянии термодинамического равновесия при постоянных Т и Р свободная энтальпия системы G приобретает минимальное значение. Таким образом, с исчезновением всех термодинамических сил Аа в равновесной системе прекращаются и все потоки va s a. Опыт показывает, что потоки зависят от сил. [47]
В состоянии термодинамического равновесия термодинамический потенциал минимален, поэтому А обращается в нуль и при прохождении системы через состояние равновесия изменяет знак. [48]
В состоянии термодинамического равновесия вероятность заполнения какого-либо энергетического уровня уменьшается с увеличением его энергии. [49]
![]() |
Образование р-п-перехода.| Графики распределения для резкого симметричного р-п-перехода. [50] |
В состоянии термодинамического равновесия уровень Ферми в обоих полупроводниках проходит на одной высоте ( рис. 7.1), что ведет к искривлению энергетических зон и образованию потенциального барьера. Электрону, находящемуся на дне зоны проводимости полупроводника - типа, для перехода в полупроводник р-типа нужно преодолеть потенциальный барьер Дф, в то время как электроны, находящиеся в зоне проводимости полупроводника р-типа, свободно скатываются в полупроводник л-типа. [51]
В состоянии термодинамического равновесия через р - - переход проходят диффузионные токи Jnn и Jpp основных носителей электронов и дырок и дрейфовые токи неосновных носителей Jnp и Jpn соответственно. [52]
В состоянии термодинамического равновесия в объеме полупроводника устанавливается равновесная концентрация электронов и дырок, уровни захвата и рекомбинации имеют равновесное заполнение. Равновесное заполнение зон н локальных уровней определяет равновесное положение уровня Фермп. [53]
В состоянии термодинамического равновесия ток через р-п-переход не проходит и уровни Ферми для обеих областей одинаковы. Однако наличие с обеих сторон р - - перехода пространственного заряда противоположного знака по отношению к основным носителям в каждой из областей приводит, по существу, к образованию потенциальных барьеров для основных носителей. Глубина проникновения контактного слоя в л - и / - области различна ( см. рис. 69, д), так как по формуле (5.26) она определяется концентрацией основных носителей. [54]