Магнитное состояние - образец
Cтраница 1
 |
Гистерезисная петля. [1] |
Магнитное состояние образца должно изменяться по той кривой, точки которой подлежат определению. [2]
Для обнаружения магнитного состояния образца ( его намагниченности) применяется преобразователь Холла. [3]
Поскольку перед испытанием магнитное состояние образца неизвестно, его нужно размагнитить. [4]
Если после этого уменьшить величину размагничивающего поля, магнитное состояние образца также будет характеризоваться точками, расположенными на линии магнитного возврата ( линия Bs Ba на рис. 6 - 2 6), и при полном снятии размагничивающего поля индукция станет равна Ввбг. [5]
Сверхтонкая структура мессбауэровского спектра сильно зависит от характера магнитного состояния образца: магнитное, парамагнитное или антиферромагнитное. Эта зависимость существенно связана со временем электронной спин-решеточной релаксации в материале или временем перехода от одной ориентации результирующего электронного спина SL к другой. [6]
Производная, стоящая в правой части (27.7), характеризует изменение магнитного состояния образца при неизменном внешнем поле за счет подвода или отвода тепла. [7]
Температурная зависимость постоянных времени используется, например, для того чтобы заморозить магнитное состояние образца, стабилизированного наведенной анизотропией. [8]
Ключом Si несколько раз прокоммутировать ток в намагничивающей цепи - этим стабилизируется магнитное состояние образца, соответствующее точке на кривой намагничивания. [9]
 |
Аппроксимация кривой намагничивания.| Петля гистерезиса ( а и кривая размагничивания ( б. [10] |
Если образец размагнитить до индукции Во и уменьшить размагничивающий ток до нуля, то магнитное состояние образца характеризуется точками, расположенными на прямой возврата ВцВь, а индукция при нулевом токе станет равной Вь. [11]
Если образец размагнитить до индукции В0 и уменьшить размагничивающий ток до нуля, то магнитное состояние образца характеризуется точками, расположенными на прямой возврата В0ВЕ, а индукция при нулевом токе станет равной Вв. [12]
 |
Топография grad Hn на остаточной намагниченности и в приложенном поле. [13] |
Важнейшими характеристиками данного метода являются зависимости grad Я от поля над дефектами и неоднородно-стями и определение магнитного состояния образца ( изделия) в оптимальном режиме. Знание этих характеристик позволяет сознательно выбирать оптимальные режимы работы намагничивающих устройств, что создает наилучшие условия разделения реальных дефектов от мешающих факторов при контроле изделий. [14]
Определяя какую-либо магнитную характеристику, необходимо принять меры к тому, чтобы она не была искажена предшествующим магнитным состоянием образца. Поясним это на примере. Положим, что определяется основная кривая намагничивания как геометрическое место вершин нормальных гистерезисиых петель. [15]
Страницы: 1 2 3